氮化镓基发光二极管的制作方法及氮化镓基发光二极管

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201310379719.6
申请日
2013-08-27
公开(公告)号
CN104425662A
公开(公告)日
2015-03-18
发明(设计)人
王强 王磊 李国琪 涂招莲 巩春梅
申请人
申请人地址
214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区信息产业科技园C座二楼
IPC主分类号
H01L3314
IPC分类号
H01L3300
代理机构
北京品源专利代理有限公司 11332
代理人
胡彬
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
氮化镓基发光二极管 [P]. 
邓小强 ;
张建宝 .
中国专利 :CN203367342U ,2013-12-25
[2]
氮化镓基发光二极管 [P]. 
虞浩辉 ;
周宇杭 .
中国专利 :CN102856457B ,2013-01-02
[3]
氮化镓基发光二极管 [P]. 
潘群峰 ;
吴志强 ;
林科闯 .
中国专利 :CN101494266A ,2009-07-29
[4]
氮化镓基发光二极管 [P]. 
陈秉扬 ;
张中英 ;
赖昭序 ;
曾建尧 ;
张洁 ;
朱学亮 ;
刘信佑 ;
卢德恩 ;
刘建明 .
中国专利 :CN106784206A ,2017-05-31
[5]
氮化镓基外延片及氮化镓基发光二极管 [P]. 
曾家明 ;
郑文杰 ;
程龙 ;
高虹 ;
刘春杨 ;
胡加辉 .
中国专利 :CN218039254U ,2022-12-13
[6]
氮化镓基蓝光发光二极管 [P]. 
刘宝林 ;
翁斌斌 ;
秦丽菲 ;
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尹以安 .
中国专利 :CN1862843A ,2006-11-15
[7]
氮化镓基发光二极管的制造方法 [P]. 
虞浩辉 ;
周宇杭 .
中国专利 :CN102983233B ,2013-03-20
[8]
氮化镓基发光二极管指示笔 [P]. 
陆卫 ;
王少伟 ;
夏长生 ;
李宁 ;
李志锋 ;
张波 ;
陈平平 ;
陈效双 ;
陈明法 .
中国专利 :CN1786770A ,2006-06-14
[9]
氮化铟镓发光二极管 [P]. 
刘家呈 ;
许进恭 ;
周铭俊 ;
章绢明 ;
李秉杰 .
中国专利 :CN1178304C ,2002-06-12
[10]
背孔结构氮化镓基发光二极管的制作方法 [P]. 
马龙 ;
王良臣 ;
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中国专利 :CN1755954A ,2006-04-05