氮化镓基发光二极管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810237809.0

申请日：

2008-11-28

公开(公告)号：

CN101494266A

公开(公告)日：

2009-07-29

发明(设计)人：

潘群峰吴志强林科闯

申请人：

申请人地址：

361009福建省厦门市思明区吕岭路1721-1725号

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

厦门原创专利事务所

代理人：

徐东峰

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-02-15	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101281726343 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2008102378090 公开日:20090729
2009-09-23	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-07-29	公开	公开

共 50 条

[1]

氮化镓基发光二极管 [P].

邓小强 ;

张建宝 .

中国专利 :CN203367342U ,2013-12-25

[2]

氮化镓基蓝光发光二极管 [P].

刘宝林 ;

翁斌斌 ;

秦丽菲 ;

黄瑾 ;

尹以安 .

中国专利 :CN1862843A ,2006-11-15

[3]

氮化镓基发光二极管 [P].

虞浩辉 ;

周宇杭 .

中国专利 :CN102856457B ,2013-01-02

[4]

氮化镓基发光二极管 [P].

陈秉扬 ;

张中英 ;

赖昭序 ;

曾建尧 ;

张洁 ;

朱学亮 ;

刘信佑 ;

卢德恩 ;

刘建明 .

中国专利 :CN106784206A ,2017-05-31

[5]

一种氮化镓基发光二极管 [P].

张雄 ;

杨洪权 ;

许洁 ;

崔一平 .

中国专利 :CN203536463U ,2014-04-09

[6]

氮化镓基发光二极管的制作方法及氮化镓基发光二极管 [P].

王强 ;

王磊 ;

李国琪 ;

涂招莲 ;

巩春梅 .

中国专利 :CN104425662A ,2015-03-18

[7]

氮化镓基发光二极管芯片 [P].

李炳乾 ;

李炳田 .

中国专利 :CN2849976Y ,2006-12-20

[8]

氮化镓基发光二极管芯片 [P].

刘榕 ;

张建宝 ;

郑如定 ;

徐韬 .

中国专利 :CN101315964B ,2008-12-03

[9]

一种氮化镓基发光二极管 [P].

郑建森 ;

林素慧 ;

彭康伟 ;

洪灵愿 ;

尹灵峰 .

中国专利 :CN102709420B ,2012-10-03

[10]

一种氮化镓基发光二极管 [P].

黄文宾 ;

谢祥彬 ;

林兓兓 ;

张家宏 .

中国专利 :CN204407349U ,2015-06-17

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