一种氮化镓基发光二极管

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201520127109.1

申请日：

2015-03-05

公开(公告)号：

CN204407349U

公开(公告)日：

2015-06-17

发明(设计)人：

黄文宾谢祥彬林兓兓张家宏

申请人：

申请人地址：

241000 安徽省芜湖市经济技术开发区东梁路8号

IPC主分类号：

H01L3304

IPC分类号：

H01L3332

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-06-17	授权	授权

共 50 条

[1]

氮化镓基发光二极管 [P].

邓小强 ;

张建宝 .

中国专利 :CN203367342U ,2013-12-25

[2]

氮化镓基发光二极管 [P].

潘群峰 ;

吴志强 ;

林科闯 .

中国专利 :CN101494266A ,2009-07-29

[3]

氮化镓基发光二极管 [P].

陈秉扬 ;

张中英 ;

赖昭序 ;

曾建尧 ;

张洁 ;

朱学亮 ;

刘信佑 ;

卢德恩 ;

刘建明 .

中国专利 :CN106784206A ,2017-05-31

[4]

一种氮化镓基发光二极管 [P].

周弘毅 ;

张永 ;

陈凯轩 ;

李俊贤 ;

刘英策 ;

陈亮 ;

魏振东 ;

李小平 ;

吴奇隆 ;

蔡立鹤 ;

邬新根 ;

黄新茂 .

中国专利 :CN205645877U ,2016-10-12

[5]

氮化镓基发光二极管 [P].

虞浩辉 ;

周宇杭 .

中国专利 :CN102856457B ,2013-01-02

[6]

一种氮化镓基发光二极管 [P].

郑建森 ;

林素慧 ;

彭康伟 ;

洪灵愿 ;

尹灵峰 .

中国专利 :CN102709420B ,2012-10-03

[7]

一种氮化镓基发光二极管 [P].

郑文杰 ;

高虹 ;

程龙 ;

曾家明 ;

刘春杨 ;

胡加辉 .

中国专利 :CN217239488U ,2022-08-19

[8]

氮化镓基发光二极管芯片 [P].

李炳乾 ;

李炳田 .

中国专利 :CN2849976Y ,2006-12-20

[9]

氮化镓基发光二极管的制作方法及氮化镓基发光二极管 [P].

王强 ;

王磊 ;

李国琪 ;

涂招莲 ;

巩春梅 .

中国专利 :CN104425662A ,2015-03-18

[10]

一种氮化镓基发光二极管 [P].

董发 ;

李志翔 ;

吴东海 ;

詹润滋 .

中国专利 :CN203746891U ,2014-07-30

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