一种氮化镓基发光二极管

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专利类型
实用新型
申请号
CN201420081947.5
申请日
2014-02-26
公开(公告)号
CN203746891U
公开(公告)日
2014-07-30
发明(设计)人
董发 李志翔 吴东海 詹润滋
申请人
申请人地址
100083 北京市海淀区清华同方科技广场A座29层
IPC主分类号
H01L3338
IPC分类号
H01L3300
代理机构
代理人
法律状态
专利权的终止
国省代码
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共 50 条
[1]
氮化镓基发光二极管 [P]. 
邓小强 ;
张建宝 .
中国专利 :CN203367342U ,2013-12-25
[2]
一种氮化镓基发光二极管 [P]. 
郑文杰 ;
高虹 ;
程龙 ;
曾家明 ;
刘春杨 ;
胡加辉 .
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[3]
一种氮化镓基发光二极管 [P]. 
黄永乐 ;
郑小平 .
中国专利 :CN222233665U ,2024-12-24
[4]
氮化镓基发光二极管 [P]. 
潘群峰 ;
吴志强 ;
林科闯 .
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[5]
氮化镓基发光二极管 [P]. 
虞浩辉 ;
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[6]
氮化镓基发光二极管 [P]. 
陈秉扬 ;
张中英 ;
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曾建尧 ;
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朱学亮 ;
刘信佑 ;
卢德恩 ;
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[7]
一种氮化镓基发光二极管 [P]. 
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许洁 ;
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[8]
一种氮化镓基发光二极管 [P]. 
周弘毅 ;
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蔡立鹤 ;
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黄新茂 .
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[9]
氮化镓基外延片及氮化镓基发光二极管 [P]. 
曾家明 ;
郑文杰 ;
程龙 ;
高虹 ;
刘春杨 ;
胡加辉 .
中国专利 :CN218039254U ,2022-12-13
[10]
氮化镓基发光二极管的制作方法及氮化镓基发光二极管 [P]. 
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