背孔结构氮化镓基发光二极管的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410081010.9

申请日：

2004-09-30

公开(公告)号：

CN1755954A

公开(公告)日：

2006-04-05

发明(设计)人：

马龙王良臣王立彬郭金霞伊晓燕

申请人：

申请人地址：

100083北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

汤保平

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-06-02	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移变更前权利人:100083 北京市海淀区清华东路甲35号变更后权利人:225009 江苏省扬州市邗江中路119号登记生效日:20100421 号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101002457332 IPC(主分类):H01L 33/00 专利号:ZL2004100810109 变更事项:专利权人变更前权利人:中国科学院半导体研究所变更后权利人:扬州中科半导体照明研发中心有限公司变更事项:地址
2006-05-31	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-04-05	公开	公开
2007-09-26	授权	授权

共 50 条

[1]

氮化镓基发光二极管的制作方法及氮化镓基发光二极管 [P].

王强 ;

王磊 ;

李国琪 ;

涂招莲 ;

巩春梅 .

中国专利 :CN104425662A ,2015-03-18

[2]

大功率氮化镓基发光二极管的制作方法 [P].

张书明 ;

杨辉 .

中国专利 :CN100349305C ,2005-06-08

[3]

氮化镓基发光二极管管芯的制作方法 [P].

张书明 ;

杨辉 .

中国专利 :CN1307729C ,2004-09-22

[4]

氮化镓基发光二极管 [P].

虞浩辉 ;

周宇杭 .

中国专利 :CN102856457B ,2013-01-02

[5]

利用倒装焊技术制作氮化镓基发光二极管管芯的方法 [P].

张书明 ;

杨辉 .

中国专利 :CN1627543A ,2005-06-15

[6]

倒装氮化镓基发光二极管芯片的制作方法 [P].

李丙乾 ;

张书明 ;

杨辉 .

中国专利 :CN1780002A ,2006-05-31

[7]

氮化镓基发光二极管电流阻挡层的制作方法 [P].

郭恩卿 ;

伊晓燕 ;

汪炼成 ;

孙波 ;

王国宏 .

中国专利 :CN102214743A ,2011-10-12

[8]

氮化镓基发光二极管的制造方法 [P].

虞浩辉 ;

周宇杭 .

中国专利 :CN102983233B ,2013-03-20

[9]

氮化镓基发光二极管芯片及其制作方法 [P].

王孟源 ;

陈国聪 .

中国专利 :CN101604715A ,2009-12-16

[10]

氮化镓基发光二极管 [P].

邓小强 ;

张建宝 .

中国专利 :CN203367342U ,2013-12-25

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