氮化镓基发光二极管芯片及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810111589.7

申请日：

2008-06-10

公开(公告)号：

CN101604715A

公开(公告)日：

2009-12-16

发明(设计)人：

王孟源陈国聪

申请人：

申请人地址：

510530广东省广州市广州经济技术开发区东区骏功路16号

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L2178

代理机构：

北京汇泽知识产权代理有限公司

代理人：

赵军;张颖玲

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-12-16	公开	公开
2010-02-10	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-05-25	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101093476823 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2008101115897 公开日:20091216

共 50 条

[1]

氮化镓基发光二极管芯片 [P].

李炳乾 ;

李炳田 .

中国专利 :CN2849976Y ,2006-12-20

[2]

氮化镓基同侧电极发光二极管芯片结构 [P].

杜高云 ;

张淋 ;

邓群雄 .

中国专利 :CN202871850U ,2013-04-10

[3]

氮化镓基同侧电极发光二极管芯片结构 [P].

杜高云 ;

张淋 ;

邓群雄 .

中国专利 :CN102945904A ,2013-02-27

[4]

倒装氮化镓基发光二极管芯片的制作方法 [P].

李丙乾 ;

张书明 ;

杨辉 .

中国专利 :CN1780002A ,2006-05-31

[5]

氮化镓基发光二极管芯片 [P].

刘榕 ;

张建宝 ;

郑如定 ;

徐韬 .

中国专利 :CN101315964B ,2008-12-03

[6]

功率型氮化镓基发光二极管芯片 [P].

牛萍娟 ;

李艳玲 ;

李晓云 ;

刘宏伟 ;

王小丽 .

中国专利 :CN201060874Y ,2008-05-14

[7]

氮化镓基发光二极管芯片及其制造方法 [P].

李炳乾 ;

李炳田 .

中国专利 :CN1738066A ,2006-02-22

[8]

氮化镓基发光二极管芯片及其制作方法 [P].

陈国聪 ;

王孟源 .

中国专利 :CN101197417A ,2008-06-11

[9]

一种氮化镓基发光二极管芯片 [P].

张向飞 ;

刘坚 .

中国专利 :CN103413881A ,2013-11-27

[10]

一种氮化镓基发光二极管芯片 [P].

张向飞 ;

刘坚 .

中国专利 :CN203367347U ,2013-12-25

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