功率型氮化镓基发光二极管芯片

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN200720096313.7

申请日：

2007-06-12

公开(公告)号：

CN201060874Y

公开(公告)日：

2008-05-14

发明(设计)人：

牛萍娟李艳玲李晓云刘宏伟王小丽

申请人：

申请人地址：

300160天津市河东区成林道63号天津工业大学

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-08-24	文件的公告送达	文件的公告送达号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101737619696 IPC(主分类):H01L 33/00 专利号:ZL2007200963137 专利申请号:2007200963137 收件人:唐山曹妃甸工大海宇光电科技股份有限公司文件名称:专利权终止通知书
2011-01-12	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101060278217 IPC(主分类):H01L 33/00 专利号:ZL2007200963137 变更事项:专利权人变更前权利人:天津工业大学变更后权利人:唐山曹妃甸工大海宇光电科技股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:300160 天津市河东区成林道63号天津工业大学变更后权利人:063210 河北省唐山市曹妃甸工业区高新技术产业园B1-2 登记生效日:20101202
2015-12-09	文件的公告送达	文件的公告送达号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101724721986 IPC(主分类):H01L 33/00 专利号:ZL2007200963137 专利申请号:2007200963137 收件人:唐山曹妃甸工大海宇光电科技股份有限公司文件名称:缴费通知书
2008-05-14	授权	授权
2017-01-25	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101699578145 IPC(主分类):H01L 33/00 专利号:ZL2007200963137 申请日:20070612 授权公告日:20080514 终止日期:20150612

共 50 条

[1]

功率型氮化镓基发光二极管芯片 [P].

牛萍娟 ;

李艳玲 ;

李晓云 ;

刘宏伟 ;

王小丽 .

中国专利 :CN206610823U ,2017-11-03

[2]

氮化镓基发光二极管芯片 [P].

李炳乾 ;

李炳田 .

中国专利 :CN2849976Y ,2006-12-20

[3]

氮化镓基发光二极管芯片 [P].

刘榕 ;

张建宝 ;

郑如定 ;

徐韬 .

中国专利 :CN101315964B ,2008-12-03

[4]

氮化镓基发光二极管芯片及其制作方法 [P].

王孟源 ;

陈国聪 .

中国专利 :CN101604715A ,2009-12-16

[5]

一种氮化镓基发光二极管芯片 [P].

张向飞 ;

刘坚 .

中国专利 :CN203367347U ,2013-12-25

[6]

一种氮化镓基发光二极管芯片 [P].

张向飞 ;

刘坚 .

中国专利 :CN103413881A ,2013-11-27

[7]

倒装氮化镓基发光二极管芯片的制作方法 [P].

李丙乾 ;

张书明 ;

杨辉 .

中国专利 :CN1780002A ,2006-05-31

[8]

氮化镓基同侧电极发光二极管芯片结构 [P].

杜高云 ;

张淋 ;

邓群雄 .

中国专利 :CN202871850U ,2013-04-10

[9]

氮化镓基发光二极管芯片及其制造方法 [P].

李炳乾 ;

李炳田 .

中国专利 :CN1738066A ,2006-02-22

[10]

氮化镓基发光二极管 [P].

潘群峰 ;

吴志强 ;

林科闯 .

中国专利 :CN101494266A ,2009-07-29

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