功率型氮化镓基发光二极管芯片

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201720353997.8

申请日：

2017-04-06

公开(公告)号：

CN206610823U

公开(公告)日：

2017-11-03

发明(设计)人：

牛萍娟李艳玲李晓云刘宏伟王小丽

申请人：

申请人地址：

063200 河北省唐山市曹妃甸工业区高新技术产业园标准厂房

IPC主分类号：

H01L3320

IPC分类号：

H01L3310 H01L3344 H01L3302

代理机构：

天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211

代理人：

刘莹

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-03-27	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 33/20 申请日:20170406 授权公告日:20171103 终止日期:20190406
2017-11-03	授权	授权

共 50 条

[1]

功率型氮化镓基发光二极管芯片 [P].

牛萍娟 ;

李艳玲 ;

李晓云 ;

刘宏伟 ;

王小丽 .

中国专利 :CN201060874Y ,2008-05-14

[2]

氮化镓基发光二极管芯片 [P].

李炳乾 ;

李炳田 .

中国专利 :CN2849976Y ,2006-12-20

[3]

氮化镓基发光二极管芯片 [P].

刘榕 ;

张建宝 ;

郑如定 ;

徐韬 .

中国专利 :CN101315964B ,2008-12-03

[4]

一种氮化镓基发光二极管芯片 [P].

张向飞 ;

刘坚 .

中国专利 :CN203367347U ,2013-12-25

[5]

氮化镓基发光二极管芯片及其制备方法 [P].

陈功 ;

林素慧 ;

张家宏 ;

彭康伟 ;

许圣贤 ;

刘传桂 ;

林潇雄 .

中国专利 :CN105185744B ,2015-12-23

[6]

一种氮化镓基发光二极管芯片结构 [P].

武良文 .

中国专利 :CN208580759U ,2019-03-05

[7]

氮化镓基同侧电极发光二极管芯片结构 [P].

杜高云 ;

张淋 ;

邓群雄 .

中国专利 :CN202871850U ,2013-04-10

[8]

氮化镓基发光二极管芯片及其制作方法 [P].

王孟源 ;

陈国聪 .

中国专利 :CN101604715A ,2009-12-16

[9]

一种氮化镓基发光二极管芯片 [P].

张向飞 ;

刘坚 .

中国专利 :CN103413881A ,2013-11-27

[10]

氮化镓基发光二极管芯片及其制造方法 [P].

李炳乾 ;

李炳田 .

中国专利 :CN1738066A ,2006-02-22

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