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一种氮化镓基发光二极管芯片结构
被引：0
专利类型：
实用新型
申请号：
CN201820982261.1
申请日：
2018-06-25
公开(公告)号：
CN208580759U
公开(公告)日：
2019-03-05
发明(设计)人：
武良文
申请人：
申请人地址：
330000 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区高新二路18号创业大厦503、515室
IPC主分类号：
H01L3320
IPC分类号：
H01L3300
代理机构：
代理人：
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2019-03-05 | 授权 | 授权 |