氮化镓基发光二极管芯片及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510036162.1

申请日：

2005-07-29

公开(公告)号：

CN1738066A

公开(公告)日：

2006-02-22

发明(设计)人：

李炳乾李炳田

申请人：

申请人地址：

523082广东省东莞市南城科技工业园蛤地管理区

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

东莞市中正知识产权事务所

代理人：

鲁慧波

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-12-27	实质审查的生效	实质审查的生效
2015-09-23	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101626800129 IPC(主分类):H01L 33/00 专利号:ZL2005100361621 申请日:20050729 授权公告日:20080611 终止日期:20140729
2006-02-22	公开	公开
2008-06-11	授权	授权

共 50 条

[1]

氮化镓基发光二极管芯片 [P].

李炳乾 ;

李炳田 .

中国专利 :CN2849976Y ,2006-12-20

[2]

氮化镓基发光二极管芯片 [P].

刘榕 ;

张建宝 ;

郑如定 ;

徐韬 .

中国专利 :CN101315964B ,2008-12-03

[3]

氮化镓基发光二极管芯片及其制作方法 [P].

王孟源 ;

陈国聪 .

中国专利 :CN101604715A ,2009-12-16

[4]

氮化镓基蓝光发光二极管芯片的制造方法 [P].

吴启保 ;

章裕中 ;

王胜国 ;

熊建明 .

中国专利 :CN1163977C ,2002-05-29

[5]

一种氮化镓基发光二极管芯片 [P].

张向飞 ;

刘坚 .

中国专利 :CN103413881A ,2013-11-27

[6]

一种氮化镓基发光二极管芯片 [P].

张向飞 ;

刘坚 .

中国专利 :CN203367347U ,2013-12-25

[7]

功率型氮化镓基发光二极管芯片 [P].

牛萍娟 ;

李艳玲 ;

李晓云 ;

刘宏伟 ;

王小丽 .

中国专利 :CN201060874Y ,2008-05-14

[8]

氮化镓基发光二极管芯片及其制备方法 [P].

陈功 ;

林素慧 ;

张家宏 ;

彭康伟 ;

许圣贤 ;

刘传桂 ;

林潇雄 .

中国专利 :CN105185744B ,2015-12-23

[9]

功率型氮化镓基发光二极管芯片 [P].

牛萍娟 ;

李艳玲 ;

李晓云 ;

刘宏伟 ;

王小丽 .

中国专利 :CN206610823U ,2017-11-03

[10]

氮化镓基发光二极管 [P].

邓小强 ;

张建宝 .

中国专利 :CN203367342U ,2013-12-25

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