氮化镓基发光二极管管芯的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03120597.6

申请日：

2003-03-14

公开(公告)号：

CN1307729C

公开(公告)日：

2004-09-22

发明(设计)人：

张书明杨辉

申请人：

申请人地址：

100083北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

汤保平

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2004-09-22	公开	公开
2009-05-13	专利权的终止(未缴年费专利权终止)	专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2004-12-01	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-03-28	授权	授权

共 50 条

[1]

倒装焊技术制作氮化镓基发光二极管管芯的方法 [P].

杨辉 ;

张书明 ;

王良臣 .

中国专利 :CN100449797C ,2005-06-15

[2]

小尺寸氮化镓基蓝、绿色发光二极管管芯的制作方法 [P].

杨辉 ;

张书明 .

中国专利 :CN1330009C ,2004-09-08

[3]

氮化镓基发光二极管芯片及其制作方法 [P].

王孟源 ;

陈国聪 .

中国专利 :CN101604715A ,2009-12-16

[4]

利用倒装焊技术制作氮化镓基发光二极管管芯的方法 [P].

张书明 ;

杨辉 .

中国专利 :CN1627543A ,2005-06-15

[5]

氮化镓基发光二极管的制作方法及氮化镓基发光二极管 [P].

王强 ;

王磊 ;

李国琪 ;

涂招莲 ;

巩春梅 .

中国专利 :CN104425662A ,2015-03-18

[6]

功率型氮化镓基发光二极管芯片 [P].

牛萍娟 ;

李艳玲 ;

李晓云 ;

刘宏伟 ;

王小丽 .

中国专利 :CN201060874Y ,2008-05-14

[7]

倒装氮化镓基发光二极管芯片的制作方法 [P].

李丙乾 ;

张书明 ;

杨辉 .

中国专利 :CN1780002A ,2006-05-31

[8]

氮化镓基发光二极管芯片 [P].

李炳乾 ;

李炳田 .

中国专利 :CN2849976Y ,2006-12-20

[9]

氮化镓基发光二极管芯片 [P].

刘榕 ;

张建宝 ;

郑如定 ;

徐韬 .

中国专利 :CN101315964B ,2008-12-03

[10]

背孔结构氮化镓基发光二极管的制作方法 [P].

马龙 ;

王良臣 ;

王立彬 ;

郭金霞 ;

伊晓燕 .

中国专利 :CN1755954A ,2006-04-05

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