一种集成肖特基二极管的LDMOS器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810490635.2

申请日：

2018-05-21

公开(公告)号：

CN108447913A

公开(公告)日：

2018-08-24

发明(设计)人：

李泽宏何文静罗蕾任敏高巍张金平张波

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906

代理机构：

成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232

代理人：

敖欢;葛启函

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-08-24	公开	公开
2018-09-18	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20180521
2020-09-29	授权	授权

共 50 条

[1]

肖特基二极管 [P].

单亚东 ;

谢刚 ;

胡丹 .

中国专利 :CN217214725U ,2022-08-16

[2]

肖特基二极管 [P].

马诺耶·梅赫罗特拉 .

中国专利 :CN112635319A ,2021-04-09

[3]

肖特基二极管 [P].

陆阳 ;

韩广涛 ;

黄必亮 ;

周逊伟 .

中国专利 :CN205752185U ,2016-11-30

[4]

集成肖特基二极管的SiC UMOSFET [P].

王正 ;

杨程 ;

裘俊庆 ;

王毅 .

中国专利 :CN222721866U ,2025-04-04

[5]

一种肖特基二极管器件 [P].

任敏 ;

何文静 ;

杨梦琦 ;

李泽宏 ;

高巍 ;

张金平 ;

张波 .

中国专利 :CN108807555A ,2018-11-13

[6]

一种肖特基二极管器件 [P].

梅冬 .

中国专利 :CN204558473U ,2015-08-12

[7]

肖特基二极管及集成肖特基二极管的LDMOSFET [P].

罗泽煌 .

中国专利 :CN109873039B ,2019-06-11

[8]

一种肖特基二极管 [P].

单亚东 ;

谢刚 ;

胡丹 .

中国专利 :CN216698373U ,2022-06-07

[9]

一种肖特基二极管 [P].

单亚东 ;

谢刚 ;

胡丹 .

中国专利 :CN216871977U ,2022-07-01

[10]

沟槽肖特基二极管 [P].

余强 ;

焦伟 ;

桑雨果 ;

姚鑫 ;

张小辛 .

中国专利 :CN206878007U ,2018-01-12

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