肖特基二极管的制造方法

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专利类型
发明
申请号
CN200910195628.0
申请日
2009-09-11
公开(公告)号
CN102024758A
公开(公告)日
2011-04-20
发明(设计)人
冯喆韻 高大为 朱虹
申请人
申请人地址
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号
H01L218222
IPC分类号
H01L21329 H01L21314
代理机构
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
李丽
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
肖特基二极管及集成肖特基二极管的LDMOSFET [P]. 
罗泽煌 .
中国专利 :CN109873039B ,2019-06-11
[2]
肖特基二极管 [P]. 
陆阳 ;
韩广涛 ;
黄必亮 ;
周逊伟 .
中国专利 :CN205752185U ,2016-11-30
[3]
新型肖特基二极管 [P]. 
韩广涛 ;
陆阳 ;
黄必亮 ;
周逊伟 .
中国专利 :CN205723554U ,2016-11-23
[4]
肖特基二极管、肖特基二极管阵列及肖特基二极管的制备方法 [P]. 
赵宇丹 ;
肖小阳 ;
王营城 ;
金元浩 ;
张天夫 ;
李群庆 .
中国专利 :CN108336151A ,2018-07-27
[5]
肖特基二极管、肖特基二极管阵列及肖特基二极管的制备方法 [P]. 
赵宇丹 ;
肖小阳 ;
王营城 ;
金元浩 ;
张天夫 ;
李群庆 .
中国专利 :CN108336150B ,2018-07-27
[6]
肖特基二极管 [P]. 
洪崇祐 ;
胡智闵 ;
陈永初 ;
龚正 .
中国专利 :CN102347373B ,2012-02-08
[7]
肖特基二极管 [P]. 
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中国专利 :CN112635319A ,2021-04-09
[8]
肖特基二极管 [P]. 
倪炜江 .
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[9]
肖特基二极管 [P]. 
Z·A·莎菲 ;
J·A·巴布科克 .
中国专利 :CN102870222B ,2013-01-09
[10]
肖特基二极管 [P]. 
马奕俊 .
中国专利 :CN207458951U ,2018-06-05