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MOS器件和MOS器件的制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411917708.3
申请日：
2024-12-24
公开(公告)号：
CN119698040B
公开(公告)日：
2025-11-11
发明(设计)人：
李辉斌 李理 邱舜国 宋旋坤 刘颖聪
申请人：
珠海格力电子元器件有限公司 珠海格力电器股份有限公司
申请人地址：
519085 广东省珠海市高新区唐家湾镇金唐路1号港湾1号科创园24栋C区1层428室（集中办公区）
IPC主分类号：
H10D30/66
IPC分类号：
H10D30/01 H10D62/13 H10D64/68
代理机构：
北京康信知识产权代理有限责任公司 11240
代理人：
马志杰
法律状态：
公开
国省代码：
广东省 珠海市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-03-25 公开 公开
2025-04-11 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/66申请日:20241224
2025-11-11 授权 授权
共 50 条
[1]
MOS器件和MOS器件的制备方法 [P]. 
李辉斌 ;
李理 ;
邱舜国 ;
宋旋坤 ;
刘颖聪 .
中国专利 :CN119698040A ,2025-03-25
[2]
MOS器件的制备方法及MOS器件 [P]. 
申占伟 ;
刘兴昉 ;
赵万顺 ;
王雷 ;
闫果果 ;
孙国胜 ;
曾一平 .
中国专利 :CN112117326B ,2020-12-22
[3]
MOS器件和制造MOS器件的方法 [P]. 
塞巴斯蒂恩·尼坦克 .
中国专利 :CN101375399A ,2009-02-25
[4]
MOS器件栅极侧墙及MOS器件的制备方法 [P]. 
请求不公布姓名 ;
请求不公布姓名 .
中国专利 :CN121215517A ,2025-12-26
[5]
MOS器件源漏的注入方法、MOS器件的制作方法和MOS器件 [P]. 
孙惠敏 ;
江辉云 ;
王江红 .
中国专利 :CN120857543A ,2025-10-28
[6]
沟槽MOS器件及沟槽MOS器件的制备方法 [P]. 
李辉斌 ;
李理 ;
陈铭杰 ;
钟泳生 ;
周天彪 ;
陈慧 .
中国专利 :CN118763121A ,2024-10-11
[7]
沟槽MOS器件及沟槽MOS器件的制备方法 [P]. 
李理 .
中国专利 :CN119300407A ,2025-01-10
[8]
沟槽MOS器件及沟槽MOS器件的制备方法 [P]. 
李辉斌 ;
李理 ;
陈铭杰 ;
钟泳生 ;
周天彪 ;
陈慧 .
中国专利 :CN118763121B ,2024-12-31
[9]
MOS器件制备方法 [P]. 
唐树澍 .
中国专利 :CN102637600A ,2012-08-15
[10]
MOS器件的制备方法 [P]. 
王柯 ;
袁月 ;
王翰喆 ;
程刘锁 ;
钱江勇 .
中国专利 :CN120500065A ,2025-08-15
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