MOS器件源漏的注入方法、MOS器件的制作方法和MOS器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510963556.9

申请日：

2025-07-10

公开(公告)号：

CN120857543A

公开(公告)日：

2025-10-28

发明(设计)人：

孙惠敏江辉云王江红

申请人：

浙江大学杭州国际科创中心

申请人地址：

311200 浙江省杭州市萧山区平澜路2118号

IPC主分类号：

H10D30/01

IPC分类号：

H10D30/60 H10D62/00

代理机构：

杭州华进联浙知识产权代理有限公司 33250

代理人：

储照良

法律状态：

公开

国省代码：

浙江省杭州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-28	公开	公开
2025-11-14	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/01申请日:20250710

共 50 条

[1]

MOS器件和MOS器件的制备方法 [P].

李辉斌 ;

李理 ;

邱舜国 ;

宋旋坤 ;

刘颖聪 .

中国专利 :CN119698040A ,2025-03-25

[2]

MOS器件和制造MOS器件的方法 [P].

塞巴斯蒂恩·尼坦克 .

中国专利 :CN101375399A ,2009-02-25

[3]

MOS器件和MOS器件的制备方法 [P].

李辉斌 ;

李理 ;

邱舜国 ;

宋旋坤 ;

刘颖聪 .

中国专利 :CN119698040B ,2025-11-11

[4]

MOS器件的制作方法 [P].

禹国宾 ;

三重野文健 .

中国专利 :CN102543743A ,2012-07-04

[5]

MOS器件的制作方法 [P].

颜树范 ;

刘须电 .

中国专利 :CN115172170B ,2025-10-28

[6]

MOS器件的制作方法 [P].

于书坤 ;

韦庆松 .

中国专利 :CN104465385A ,2015-03-25

[7]

MOS器件的制作方法 [P].

吴振华 ;

郭鸿 ;

李俊杰 .

中国专利 :CN109712892B ,2019-05-03

[8]

MOS器件的制作方法 [P].

胡君 .

中国专利 :CN113611609A ,2021-11-05

[9]

集成MOS器件的制作方法 [P].

徐鹏龙 ;

许超奇 ;

林峰 ;

马春霞 ;

陈淑娴 ;

张仪 .

中国专利 :CN116137252B ,2025-12-23

[10]

源漏区的制备方法和MOS器件 [P].

周晓君 .

中国专利 :CN103426753A ,2013-12-04

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