防闩锁高密度元胞功率半导体器件结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010874907.6

申请日：

2020-08-27

公开(公告)号：

CN111863942A

公开(公告)日：

2020-10-30

发明(设计)人：

朱袁正周锦程王根毅周永珍

申请人：

申请人地址：

214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号（与华清路交叉口）无锡（滨湖）国家信息传感中心-B1楼东侧2楼

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L218232

代理机构：

无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104

代理人：

曹祖良;涂三民

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-11-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20200827
2020-10-30	公开	公开

共 50 条

[1]

防闩锁高密度元胞功率半导体器件结构及其制造方法 [P].

朱袁正 ;

周锦程 ;

王根毅 ;

周永珍 .

中国专利 :CN111863942B ,2024-09-06

[2]

防闩锁高密度元胞功率半导体器件结构 [P].

朱袁正 ;

周锦程 ;

王根毅 ;

周永珍 .

中国专利 :CN213150777U ,2021-05-07

[3]

高可靠性高密度元胞功率半导体器件结构及其制造方法 [P].

朱袁正 ;

周锦程 ;

王根毅 ;

周永珍 .

中国专利 :CN111584621B ,2024-09-06

[4]

高可靠性高密度元胞功率半导体器件结构及其制造方法 [P].

朱袁正 ;

周锦程 ;

王根毅 ;

周永珍 .

中国专利 :CN111584621A ,2020-08-25

[5]

高可靠性高密度元胞功率半导体器件结构 [P].

朱袁正 ;

周锦程 ;

王根毅 ;

周永珍 .

中国专利 :CN212033028U ,2020-11-27

[6]

功率半导体器件元胞结构、功率半导体器件及其制造方法 [P].

邹华 ;

张邵华 ;

姚国亮 ;

刘建平 ;

吴建兴 .

中国专利 :CN114497184B ,2024-03-29

[7]

功率半导体器件元胞结构、功率半导体器件及其制造方法 [P].

邹华 ;

张邵华 ;

姚国亮 ;

刘建平 ;

吴建兴 .

中国专利 :CN114497184A ,2022-05-13

[8]

高密度功率器件及其制造方法 [P].

王宇澄 ;

宋利军 ;

张子敏 .

中国专利 :CN112259600A ,2021-01-22

[9]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

高秀秀 ;

柯攀 ;

戴小平 .

中国专利 :CN113964203A ,2022-01-21

[10]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

高秀秀 ;

柯攀 ;

戴小平 .

中国专利 :CN113964203B ,2024-09-17

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