功率半导体器件元胞结构、功率半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111591940.9

申请日：

2021-12-23

公开(公告)号：

CN114497184B

公开(公告)日：

2024-03-29

发明(设计)人：

邹华张邵华姚国亮刘建平吴建兴

申请人：

杭州士兰微电子股份有限公司

申请人地址：

310012 浙江省杭州市黄姑山路4号

IPC主分类号：

H01L29/06

IPC分类号：

H01L29/786 H01L21/336

代理机构：

北京成创同维知识产权代理有限公司 11449

代理人：

岳丹丹

法律状态：

授权

国省代码：

浙江省杭州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-03-29	授权	授权
2024-10-01	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移IPC(主分类):H01L 29/06登记生效日:20240913变更事项:专利权人变更前权利人:杭州士兰微电子股份有限公司变更后权利人:杭州士兰微电子股份有限公司变更事项:国家或地区变更前权利人:中国变更后权利人:中国变更事项:地址变更前权利人:310012 浙江省杭州市黄姑山路4号变更后权利人:310012 浙江省杭州市黄姑山路4号变更事项:专利权人变更后权利人:厦门士兰明镓化合物半导体有限公司变更事项:国家或地区变更后权利人:中国

共 50 条

[1]

功率半导体器件元胞结构、功率半导体器件及其制造方法 [P].

邹华 ;

张邵华 ;

姚国亮 ;

刘建平 ;

吴建兴 .

中国专利 :CN114497184A ,2022-05-13

[2]

功率半导体器件的元胞结构及功率半导体器件 [P].

陈勇民 ;

陈芳林 ;

操国宏 ;

蒋谊 ;

徐焕新 ;

潘学军 ;

曾宏 ;

邹平 ;

孙永伟 .

中国专利 :CN114220850B ,2025-04-18

[3]

功率半导体器件的元胞结构及功率半导体器件 [P].

陈勇民 ;

陈芳林 ;

操国宏 ;

蒋谊 ;

徐焕新 ;

潘学军 ;

曾宏 ;

邹平 ;

孙永伟 .

中国专利 :CN114220850A ,2022-03-22

[4]

功率半导体器件元胞结构、其制备方法及功率半导体器件 [P].

曾丹 ;

史波 ;

肖婷 ;

马颖江 ;

敖利波 .

中国专利 :CN111106043B ,2020-05-05

[5]

功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法 [P].

洪性兆 ;

姜守昶 ;

杨河龙 ;

徐永浩 .

中国专利 :CN110098124A ,2019-08-06

[6]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

杨彦涛 ;

夏志平 ;

王维建 .

中国专利 :CN107910266A ,2018-04-13

[7]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

杨彦涛 ;

徐丹 ;

陈琛 .

中国专利 :CN107910267A ,2018-04-13

[8]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

杨彦涛 ;

王平 ;

张邵华 ;

李敏 ;

陈琛 .

中国专利 :CN107910271A ,2018-04-13

[9]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

杨彦涛 ;

夏志平 ;

王维建 .

中国专利 :CN107910266B ,2024-02-23

[10]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

赵金波 ;

曹俊 ;

张邵华 ;

王平 ;

闻永祥 ;

顾悦吉 ;

王珏 .

中国专利 :CN107452629A ,2017-12-08

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