功率半导体器件的元胞结构及功率半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111539836.5

申请日：

2021-12-15

公开(公告)号：

CN114220850B

公开(公告)日：

2025-04-18

发明(设计)人：

陈勇民陈芳林操国宏蒋谊徐焕新潘学军曾宏邹平孙永伟

申请人：

株洲中车时代半导体有限公司

申请人地址：

412001 湖南省株洲市石峰区田心高科园半导体三线办公大楼三楼309室

IPC主分类号：

H10D62/17

IPC分类号：

H10D18/65

代理机构：

北京聿宏知识产权代理有限公司 11372

代理人：

陈超德;吴昊

法律状态：

授权

国省代码：

湖南省株洲市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-18	授权	授权

共 50 条

[1]

功率半导体器件的元胞结构及功率半导体器件 [P].

陈勇民 ;

陈芳林 ;

操国宏 ;

蒋谊 ;

徐焕新 ;

潘学军 ;

曾宏 ;

邹平 ;

孙永伟 .

中国专利 :CN114220850A ,2022-03-22

[2]

功率半导体器件元胞结构、其制备方法及功率半导体器件 [P].

曾丹 ;

史波 ;

肖婷 ;

马颖江 ;

敖利波 .

中国专利 :CN111106043B ,2020-05-05

[3]

功率半导体器件元胞结构、功率半导体器件及其制造方法 [P].

邹华 ;

张邵华 ;

姚国亮 ;

刘建平 ;

吴建兴 .

中国专利 :CN114497184B ,2024-03-29

[4]

功率半导体器件元胞结构、功率半导体器件及其制造方法 [P].

邹华 ;

张邵华 ;

姚国亮 ;

刘建平 ;

吴建兴 .

中国专利 :CN114497184A ,2022-05-13

[5]

功率半导体器件的终端结构及功率半导体器件 [P].

周振强 ;

江堂华 ;

吴家键 ;

蔡桥斌 .

中国专利 :CN102208436B ,2011-10-05

[6]

功率半导体器件的散热结构及功率半导体器件 [P].

曹俊 .

中国专利 :CN217933772U ,2022-11-29

[7]

功率半导体器件的终端及功率半导体器件 [P].

周振强 ;

江堂华 ;

吴家键 ;

蔡桥斌 ;

杨飒飒 .

中国专利 :CN102208435B ,2011-10-05

[8]

半导体结构及功率半导体器件 [P].

常东旭 ;

邓建军 ;

李雨衡 ;

陶政 ;

李龙涛 ;

王超 ;

胡磊 .

中国专利 :CN119008700A ,2024-11-22

[9]

功率半导体芯片及功率半导体器件 [P].

W·M·舒尔茨 .

中国专利 :CN206282846U ,2017-06-27

[10]

一种复合元胞功率半导体器件设计方法及功率半导体器件 [P].

张志新 ;

高博 ;

刘文平 ;

费晨曦 ;

华熙 .

中国专利 :CN120201761A ,2025-06-24

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