一种复合元胞功率半导体器件设计方法及功率半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510349864.2

申请日：

2025-03-24

公开(公告)号：

CN120201761A

公开(公告)日：

2025-06-24

发明(设计)人：

张志新高博刘文平费晨曦华熙

申请人：

浙江摩珂达半导体有限公司

申请人地址：

314000 浙江省嘉兴市高照街道康和路1288号嘉兴光伏科创园1幢1513-35室

IPC主分类号：

H10D62/10

IPC分类号：

H10D30/63 H10D30/01 H10D62/832

代理机构：

北京君有知识产权代理事务所(普通合伙) 11630

代理人：

孙芳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-24	公开	公开
2025-07-11	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 62/10申请日:20250324

共 50 条

[1]

功率半导体器件的元胞结构及功率半导体器件 [P].

陈勇民 ;

陈芳林 ;

操国宏 ;

蒋谊 ;

徐焕新 ;

潘学军 ;

曾宏 ;

邹平 ;

孙永伟 .

中国专利 :CN114220850B ,2025-04-18

[2]

功率半导体器件的元胞结构及功率半导体器件 [P].

陈勇民 ;

陈芳林 ;

操国宏 ;

蒋谊 ;

徐焕新 ;

潘学军 ;

曾宏 ;

邹平 ;

孙永伟 .

中国专利 :CN114220850A ,2022-03-22

[3]

功率半导体器件元胞结构、其制备方法及功率半导体器件 [P].

曾丹 ;

史波 ;

肖婷 ;

马颖江 ;

敖利波 .

中国专利 :CN111106043B ,2020-05-05

[4]

功率半导体器件元胞结构、功率半导体器件及其制造方法 [P].

邹华 ;

张邵华 ;

姚国亮 ;

刘建平 ;

吴建兴 .

中国专利 :CN114497184B ,2024-03-29

[5]

功率半导体器件元胞结构、功率半导体器件及其制造方法 [P].

邹华 ;

张邵华 ;

姚国亮 ;

刘建平 ;

吴建兴 .

中国专利 :CN114497184A ,2022-05-13

[6]

功率半导体器件及功率半导体器件的制备方法 [P].

喻慧 ;

蔡军 .

中国专利 :CN119486237A ,2025-02-18

[7]

功率半导体器件 [P].

周锌 ;

赵凯 ;

王睿迪 ;

乔明 ;

张波 .

中国专利 :CN109698196A ,2019-04-30

[8]

功率半导体器件及功率半导体器件的制作方法 [P].

王群 ;

龚逸品 ;

陈张笑雄 ;

吴志浩 ;

梅劲 ;

王江波 ;

刘榕 .

中国专利 :CN117497581A ,2024-02-02

[9]

功率半导体器件的终端及功率半导体器件 [P].

周振强 ;

江堂华 ;

吴家键 ;

蔡桥斌 ;

杨飒飒 .

中国专利 :CN102208435B ,2011-10-05

[10]

功率半导体器件的烧结方法及功率半导体器件 [P].

孙志斌 ;

李海军 ;

宣雷 .

中国专利 :CN119049986A ,2024-11-29

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