功率半导体器件的散热结构及功率半导体器件

被引：0

申请号：

CN202221901938.7

申请日：

2022-07-22

公开(公告)号：

CN217933772U

公开(公告)日：

2022-11-29

发明(设计)人：

曹俊

申请人：

申请人地址：

516000 广东省惠州市仲恺高新区仲恺大道(惠环段)252号航天科技工业园四号楼

IPC主分类号：

H01L23367

IPC分类号：

H01L23373 H05K118

代理机构：

惠州市超越知识产权代理事务所(普通合伙) 44349

代理人：

刘勋

法律状态：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-11-29	授权	授权

共 50 条

[1]

功率半导体器件的终端结构及功率半导体器件 [P].

周振强 ;

江堂华 ;

吴家键 ;

蔡桥斌 .

中国专利 :CN102208436B ,2011-10-05

[2]

功率半导体芯片及功率半导体器件 [P].

W·M·舒尔茨 .

中国专利 :CN206282846U ,2017-06-27

[3]

功率半导体器件的终端及功率半导体器件 [P].

周振强 ;

江堂华 ;

吴家键 ;

蔡桥斌 ;

杨飒飒 .

中国专利 :CN102208435B ,2011-10-05

[4]

半导体结构及功率半导体器件 [P].

常东旭 ;

邓建军 ;

李雨衡 ;

陶政 ;

李龙涛 ;

王超 ;

胡磊 .

中国专利 :CN119008700A ,2024-11-22

[5]

功率半导体器件的元胞结构及功率半导体器件 [P].

陈勇民 ;

陈芳林 ;

操国宏 ;

蒋谊 ;

徐焕新 ;

潘学军 ;

曾宏 ;

邹平 ;

孙永伟 .

中国专利 :CN114220850B ,2025-04-18

[6]

功率半导体器件的元胞结构及功率半导体器件 [P].

陈勇民 ;

陈芳林 ;

操国宏 ;

蒋谊 ;

徐焕新 ;

潘学军 ;

曾宏 ;

邹平 ;

孙永伟 .

中国专利 :CN114220850A ,2022-03-22

[7]

功率半导体器件 [P].

顾悦吉 ;

闻永祥 ;

刘琛 ;

刘慧勇 .

中国专利 :CN203192800U ,2013-09-11

[8]

功率半导体器件 [P].

朴锺镐 ;

胡尚寿 ;

李相龙 ;

金世云 .

中国专利 :CN211428177U ,2020-09-04

[9]

功率半导体器件 [P].

陈超 ;

张海泉 ;

麻长胜 ;

王晓宝 ;

赵善麒 .

中国专利 :CN215731694U ,2022-02-01

[10]

功率半导体器件 [P].

王耀华 ;

高明超 ;

魏晓光 ;

刘瑞 ;

唐新灵 ;

李立 ;

焦倩倩 ;

张语 .

中国专利 :CN222869300U ,2025-05-13

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