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功率半导体器件

被引：0
专利类型：
实用新型
申请号：
CN202121420943.1
申请日：
2021-06-24
公开(公告)号：
CN215731694U
公开(公告)日：
2022-02-01
发明(设计)人：
陈超 张海泉 麻长胜 王晓宝 赵善麒
申请人：
申请人地址：
213022 江苏省常州市新北区华山中路18号
IPC主分类号：
H01L23498
IPC分类号：
H01L2507
代理机构：
常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231
代理人：
陈红桥
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-02-01 授权 授权
共 50 条
[1]
功率半导体器件 [P]. 
陈超 ;
张海泉 ;
麻长胜 ;
王晓宝 ;
赵善麒 .
中国专利 :CN113410208B ,2025-06-20
[2]
功率半导体器件 [P]. 
陈超 ;
张海泉 ;
麻长胜 ;
王晓宝 ;
赵善麒 .
中国专利 :CN113410208A ,2021-09-17
[3]
功率半导体芯片及功率半导体器件 [P]. 
W·M·舒尔茨 .
中国专利 :CN206282846U ,2017-06-27
[4]
功率半导体器件 [P]. 
J.赫格劳尔 ;
R.奥特伦巴 ;
R.保罗 .
中国专利 :CN102683310B ,2012-09-19
[5]
功率半导体器件 [P]. 
于克凡 ;
魏晓光 ;
高佳敏 ;
唐新灵 ;
郝炜 ;
林仲康 ;
石浩 ;
刘鉴辉 .
中国专利 :CN222916508U ,2025-05-27
[6]
功率半导体器件 [P]. 
张杰夫 ;
宋贵波 .
中国专利 :CN210897256U ,2020-06-30
[7]
功率半导体器件和功率半导体芯片 [P]. 
李珠焕 .
韩国专利 :CN113745322B ,2025-02-07
[8]
功率半导体器件和功率半导体芯片 [P]. 
李珠焕 .
中国专利 :CN113745322A ,2021-12-03
[9]
功率半导体模块、功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法 [P]. 
D·特拉塞尔 ;
H·拜尔 ;
M·马利基 .
:CN116830247B ,2024-08-09
[10]
功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法 [P]. 
A·韦迪 ;
C·埃勒斯 ;
A·昂劳 .
中国专利 :CN113206051A ,2021-08-03
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