功率半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110704897.6

申请日：

2021-06-24

公开(公告)号：

CN113410208B

公开(公告)日：

2025-06-20

发明(设计)人：

陈超张海泉麻长胜王晓宝赵善麒

申请人：

江苏宏微科技股份有限公司

申请人地址：

213022 江苏省常州市新北区华山中路18号

IPC主分类号：

H01L23/498

IPC分类号：

H01L25/07

代理机构：

常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231

代理人：

陈红桥

法律状态：

授权

国省代码：

江苏省常州市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-20	授权	授权

共 50 条

[1]

功率半导体器件 [P].

陈超 ;

张海泉 ;

麻长胜 ;

王晓宝 ;

赵善麒 .

中国专利 :CN215731694U ,2022-02-01

[2]

功率半导体器件 [P].

陈超 ;

张海泉 ;

麻长胜 ;

王晓宝 ;

赵善麒 .

中国专利 :CN113410208A ,2021-09-17

[3]

功率半导体器件 [P].

J.赫格劳尔 ;

R.奥特伦巴 ;

R.保罗 .

中国专利 :CN102683310B ,2012-09-19

[4]

功率半导体芯片及功率半导体器件 [P].

W·M·舒尔茨 .

中国专利 :CN206282846U ,2017-06-27

[5]

功率半导体器件和功率半导体芯片 [P].

李珠焕 .

韩国专利 :CN113745322B ,2025-02-07

[6]

功率半导体器件和功率半导体芯片 [P].

李珠焕 .

中国专利 :CN113745322A ,2021-12-03

[7]

功率半导体模块、功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法 [P].

D·特拉塞尔 ;

H·拜尔 ;

M·马利基 .

:CN116830247B ,2024-08-09

[8]

功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法 [P].

A·韦迪 ;

C·埃勒斯 ;

A·昂劳 .

中国专利 :CN113206051A ,2021-08-03

[9]

功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法 [P].

A·韦迪 ;

C·埃勒斯 ;

A·昂劳 .

德国专利 :CN113206051B ,2025-04-29

[10]

功率半导体器件 [P].

坂本光造 ;

井上洋典 ;

宫内昭浩 ;

白石正树 ;

森睦宏 ;

渡边笃雄 ;

大柳孝纯 .

中国专利 :CN101140953A ,2008-03-12

← 1 2 3 4 5 →