功率半导体器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202520595428.9

申请日：

2025-04-01

公开(公告)号：

CN222869300U

公开(公告)日：

2025-05-13

发明(设计)人：

王耀华高明超魏晓光刘瑞唐新灵李立焦倩倩张语

申请人：

北京怀柔实验室

申请人地址：

101499 北京市怀柔区杨雁东一路8号

IPC主分类号：

H10D64/23

IPC分类号：

H10D84/60

代理机构：

北京润平知识产权代理有限公司 11283

代理人：

乔晓粉

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-13	授权	授权

共 50 条

[1]

功率半导体器件 [P].

顾悦吉 ;

闻永祥 ;

刘琛 ;

刘慧勇 .

中国专利 :CN203192800U ,2013-09-11

[2]

功率半导体器件 [P].

朴锺镐 ;

胡尚寿 ;

李相龙 ;

金世云 .

中国专利 :CN211428177U ,2020-09-04

[3]

功率半导体器件 [P].

陈超 ;

张海泉 ;

麻长胜 ;

王晓宝 ;

赵善麒 .

中国专利 :CN215731694U ,2022-02-01

[4]

功率半导体器件 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 .

中国专利 :CN203895440U ,2014-10-22

[5]

功率半导体器件 [P].

宋辉 ;

张太之 ;

曹玉昭 ;

唐曙华 ;

时尚起 ;

严波 ;

邵兆军 .

中国专利 :CN212113715U ,2020-12-08

[6]

功率半导体器件 [P].

顾悦吉 ;

闻永祥 ;

刘琛 ;

刘慧勇 .

中国专利 :CN203288595U ,2013-11-13

[7]

功率半导体器件 [P].

李述洲 ;

王建平 ;

张力 ;

刘道广 ;

万欣 ;

高良 .

中国专利 :CN208315553U ,2019-01-01

[8]

功率半导体器件 [P].

高秀秀 ;

柯攀 ;

戴小平 .

中国专利 :CN216250740U ,2022-04-08

[9]

功率半导体器件 [P].

吴小利 ;

约瑟夫·叶季纳科 .

中国专利 :CN208738257U ,2019-04-12

[10]

功率半导体器件 [P].

H-J.舒尔策 ;

F.普菲尔施 ;

H.许斯肯 .

中国专利 :CN204011429U ,2014-12-10

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