功率半导体器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201420298313.5

申请日：

2014-06-05

公开(公告)号：

CN203895440U

公开(公告)日：

2014-10-22

发明(设计)人：

朱袁正叶鹏

申请人：

申请人地址：

214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号（与华清路交叉口）无锡（滨湖）国家信息传感中心-B1楼东侧2楼

IPC主分类号：

H01L2348

IPC分类号：

H01L23482

代理机构：

无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104

代理人：

曹祖良;刘海

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-10-22	授权	授权

共 50 条

[1]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 .

中国专利 :CN103996666B ,2014-08-20

[2]

功率半导体器件 [P].

顾悦吉 ;

闻永祥 ;

刘琛 ;

刘慧勇 .

中国专利 :CN203192800U ,2013-09-11

[3]

功率半导体器件 [P].

朴锺镐 ;

胡尚寿 ;

李相龙 ;

金世云 .

中国专利 :CN211428177U ,2020-09-04

[4]

功率半导体器件 [P].

陈超 ;

张海泉 ;

麻长胜 ;

王晓宝 ;

赵善麒 .

中国专利 :CN215731694U ,2022-02-01

[5]

功率半导体器件 [P].

王耀华 ;

高明超 ;

魏晓光 ;

刘瑞 ;

唐新灵 ;

李立 ;

焦倩倩 ;

张语 .

中国专利 :CN222869300U ,2025-05-13

[6]

功率半导体器件 [P].

陈超 ;

张海泉 ;

麻长胜 ;

王晓宝 ;

赵善麒 .

中国专利 :CN113192925A ,2021-07-30

[7]

功率半导体器件 [P].

宋辉 ;

张太之 ;

曹玉昭 ;

唐曙华 ;

时尚起 ;

严波 ;

邵兆军 .

中国专利 :CN212113715U ,2020-12-08

[8]

功率半导体器件 [P].

顾悦吉 ;

闻永祥 ;

刘琛 ;

刘慧勇 .

中国专利 :CN203288595U ,2013-11-13

[9]

功率半导体器件 [P].

李述洲 ;

王建平 ;

张力 ;

刘道广 ;

万欣 ;

高良 .

中国专利 :CN208315553U ,2019-01-01

[10]

功率半导体器件 [P].

高秀秀 ;

柯攀 ;

戴小平 .

中国专利 :CN216250740U ,2022-04-08

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