高可靠性高密度元胞功率半导体器件结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202021091327.1

申请日：

2020-06-12

公开(公告)号：

CN212033028U

公开(公告)日：

2020-11-27

发明(设计)人：

朱袁正周锦程王根毅周永珍

申请人：

申请人地址：

214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号（与华清路交叉口）无锡（滨湖）国家信息传感中心-B1楼东侧2楼

IPC主分类号：

H01L29417

IPC分类号：

H01L2906 H01L2978 H01L21027 H01L2128 H01L21336

代理机构：

无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104

代理人：

曹祖良;涂三民

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-11-27	授权	授权

共 50 条

[1]

高可靠性高密度元胞功率半导体器件结构及其制造方法 [P].

朱袁正 ;

周锦程 ;

王根毅 ;

周永珍 .

中国专利 :CN111584621A ,2020-08-25

[2]

高可靠性高密度元胞功率半导体器件结构及其制造方法 [P].

朱袁正 ;

周锦程 ;

王根毅 ;

周永珍 .

中国专利 :CN111584621B ,2024-09-06

[3]

防闩锁高密度元胞功率半导体器件结构 [P].

朱袁正 ;

周锦程 ;

王根毅 ;

周永珍 .

中国专利 :CN213150777U ,2021-05-07

[4]

防闩锁高密度元胞功率半导体器件结构及其制造方法 [P].

朱袁正 ;

周锦程 ;

王根毅 ;

周永珍 .

中国专利 :CN111863942B ,2024-09-06

[5]

防闩锁高密度元胞功率半导体器件结构及其制造方法 [P].

朱袁正 ;

周锦程 ;

王根毅 ;

周永珍 .

中国专利 :CN111863942A ,2020-10-30

[6]

高可靠性超结功率半导体结构 [P].

朱袁正 ;

周锦程 ;

李宗清 .

中国专利 :CN212303677U ,2021-01-05

[7]

高可靠性耗尽型功率半导体器件 [P].

叶俊 ;

张邵华 .

中国专利 :CN203013735U ,2013-06-19

[8]

高可靠性半导体器件 [P].

唐兴军 ;

王亚 .

中国专利 :CN211957635U ,2020-11-17

[9]

高可靠性功率半导体器件及其制作方法 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 ;

周锦程 ;

杨卓 .

中国专利 :CN113745339B ,2021-12-03

[10]

高可靠性超结功率器件 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 ;

周锦程 ;

李宗清 .

中国专利 :CN216597593U ,2022-05-24

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