高可靠性功率半导体器件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111041199.9

申请日：

2021-09-07

公开(公告)号：

CN113745339B

公开(公告)日：

2021-12-03

发明(设计)人：

朱袁正叶鹏周锦程杨卓

申请人：

申请人地址：

214028 江苏省无锡市新吴区电腾路6号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L29423 H01L21336

代理机构：

无锡市兴为专利代理事务所(特殊普通合伙) 32517

代理人：

屠志力

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-03	公开	公开
2021-12-21	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20210907
2022-08-19	授权	授权

共 50 条

[1]

低成本高可靠性的功率半导体器件及其制备方法 [P].

杨飞 ;

白玉明 ;

吴凯 ;

朱阳军 .

中国专利 :CN110444583A ,2019-11-12

[2]

高可靠性耗尽型功率半导体器件 [P].

叶俊 ;

张邵华 .

中国专利 :CN203013735U ,2013-06-19

[3]

高可靠性半导体器件 [P].

唐兴军 ;

王亚 .

中国专利 :CN211957635U ,2020-11-17

[4]

高可靠性半导体器件 [P].

张雄杰 ;

何洪运 ;

程琳 .

中国专利 :CN106409804A ,2017-02-15

[5]

高可靠性耗尽型功率半导体器件及其制造方法 [P].

叶俊 ;

张邵华 .

中国专利 :CN103022138B ,2013-04-03

[6]

高可靠性高密度元胞功率半导体器件结构 [P].

朱袁正 ;

周锦程 ;

王根毅 ;

周永珍 .

中国专利 :CN212033028U ,2020-11-27

[7]

高可靠性高密度元胞功率半导体器件结构及其制造方法 [P].

朱袁正 ;

周锦程 ;

王根毅 ;

周永珍 .

中国专利 :CN111584621A ,2020-08-25

[8]

高可靠性高密度元胞功率半导体器件结构及其制造方法 [P].

朱袁正 ;

周锦程 ;

王根毅 ;

周永珍 .

中国专利 :CN111584621B ,2024-09-06

[9]

高可靠性超结功率半导体结构 [P].

朱袁正 ;

周锦程 ;

李宗清 .

中国专利 :CN212303677U ,2021-01-05

[10]

高可靠性整流半导体器件 [P].

李飞帆 ;

张屹 .

中国专利 :CN207199600U ,2018-04-06

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