准分子激光退火装置及低温多晶硅薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410533019.2

申请日：

2014-10-10

公开(公告)号：

CN104392913B

公开(公告)日：

2015-03-04

发明(设计)人：

田雪雁

申请人：

申请人地址：

100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号

IPC主分类号：

H01L21268

IPC分类号：

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112

代理人：

柴亮;张天舒

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-03-04	公开	公开
2017-12-22	授权	授权
2015-04-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101603705668 IPC(主分类):H01L 21/268 专利申请号:2014105330192 申请日:20141010

共 50 条

[1]

准分子激光退火装置、多晶硅薄膜的制备方法 [P].

田雪雁 .

中国专利 :CN110265289A ,2019-09-20

[2]

准分子激光退火制备桥式沟道多晶硅薄膜的方法 [P].

喻志农 ;

闫伟 ;

郭建 ;

蒋玉蓉 ;

薛唯 .

中国专利 :CN106887386A ,2017-06-23

[3]

利用准分子激光退火工艺制作多晶硅薄膜的方法 [P].

石储荣 ;

陆一民 .

中国专利 :CN1275301C ,2004-06-02

[4]

一种准分子激光退火装置及多晶硅薄膜的制备方法 [P].

谢银 ;

陆忠 ;

李儒健 ;

胡杰文 ;

李飞 ;

冯鹏 ;

刘赛龙 .

中国专利 :CN119300689A ,2025-01-10

[5]

准分子激光退火装置 [P].

田雪雁 .

中国专利 :CN104766813A ,2015-07-08

[6]

低温多晶硅薄膜的制作方法、低温多晶硅薄膜及低温多晶硅TFT基板 [P].

张瑞军 ;

卢马才 ;

王松 .

中国专利 :CN108831894A ,2018-11-16

[7]

准分子激光退火装置和方法 [P].

何超 ;

余威 .

中国专利 :CN105118773B ,2015-12-02

[8]

利用准分子激光退火制作低温多晶硅的系统及其承载装置 [P].

余威 .

中国专利 :CN106981416B ,2017-07-25

[9]

一种低温多晶硅薄膜的制备方法及低温多晶硅薄膜 [P].

田雪雁 ;

龙春平 ;

姚江峰 .

中国专利 :CN102651311B ,2012-08-29

[10]

低温多晶硅薄膜的制备方法、制备设备及低温多晶硅薄膜 [P].

张隆贤 ;

余威 .

中国专利 :CN104404617A ,2015-03-11

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