空心四氧化三钴微球材料的制备方法及制备电极片的应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510185016.9

申请日：

2015-04-17

公开(公告)号：

CN104795253A

公开(公告)日：

2015-07-22

发明(设计)人：

邓意达冯超胡文彬钟澄

申请人：

申请人地址：

300072 天津市南开区卫津路92号天津大学

IPC主分类号：

H01G1186

IPC分类号：

H01G1146 H01G1142 H01G1130

代理机构：

天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201

代理人：

王丽

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-09-28	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01G 11/86 申请公布日:20150722
2015-07-22	公开	公开
2015-08-19	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101621092276 IPC(主分类):H01G 11/86 专利申请号:2015101850169 申请日:20150417

共 50 条

[1]

四氧化三钴纳米立方的水热制备方法及制备电极片的应用 [P].

邓意达 ;

何宇 ;

胡文彬 ;

韩晓鹏 ;

钟澄 .

中国专利 :CN105788882B ,2016-07-20

[2]

类石墨烯四氧化三钴纳米薄膜材料的制备方法及制备电极片的应用 [P].

邓意达 ;

冯超 ;

胡文彬 ;

钟澄 .

中国专利 :CN104916454A ,2015-09-16

[3]

一种四氧化三钴空心多层微球的制备方法 [P].

殷竟洲 ;

张莉莉 ;

张宇 ;

张维光 ;

李荣清 ;

仲慧 ;

蒋正静 ;

文静 .

中国专利 :CN106082357A ,2016-11-09

[4]

一种空心四氧化三钴微球的制备方法 [P].

李国栋 ;

赵君 ;

刘一蒲 ;

周丽景 .

中国专利 :CN103771544B ,2014-05-07

[5]

一种四氧化三钴空心微米球的制备方法 [P].

张乾 ;

董立峰 ;

田美娟 ;

崔李艳 .

中国专利 :CN105036203B ,2015-11-11

[6]

一种自组装四氧化三钴分级微球的制备方法及其应用 [P].

吕长鹏 ;

张现峰 ;

田兆斌 ;

张丽园 ;

冯超 ;

宋任远 ;

叶舒 ;

王传虎 .

中国专利 :CN108962617B ,2018-12-07

[7]

碳酸钴的制备方法以及四氧化三钴的制备方法 [P].

胡扬剑 ;

周卫 .

中国专利 :CN109319846A ,2019-02-12

[8]

一种手性四氧化三钴-金空心纳米材料及其制备方法 [P].

王鹏鹏 ;

温志豪 ;

程扬 ;

谭丽丽 .

中国专利 :CN115651000A ,2023-01-31

[9]

三维纳米四氧化三钴、制备方法及应用 [P].

庞欢 ;

李欣冉 ;

魏积蕾 ;

郑莎莎 ;

肖潇 .

中国专利 :CN106935869B ,2017-07-07

[10]

四氧化三钴的制备方法 [P].

刘少军 ;

张宏生 ;

尚玉明 ;

王莉 ;

高剑 ;

李建军 ;

罗晶 ;

何向明 ;

王要武 .

中国专利 :CN104098145A ,2014-10-15

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