四氧化三钴纳米立方的水热制备方法及制备电极片的应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610265839.7

申请日：

2016-04-25

公开(公告)号：

CN105788882B

公开(公告)日：

2016-07-20

发明(设计)人：

邓意达何宇胡文彬韩晓鹏钟澄

申请人：

申请人地址：

300072 天津市南开区卫津路92号天津大学

IPC主分类号：

H01G1146

IPC分类号：

H01G1186 C01G5104

代理机构：

天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201

代理人：

王丽

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-07-20	公开	公开
2016-08-17	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101674716206 IPC(主分类):H01G 11/46 专利申请号:2016102658397 申请日:20160425
2022-04-08	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01G 11/46 申请日:20160425 授权公告日:20180807 终止日期:20210425
2020-06-09	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01G 11/46 登记生效日:20200521 变更事项:专利权人变更前权利人:天津大学变更后权利人:安徽华淮澄膜科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:300350 天津市津南区海河教育园雅观路135号天津大学北洋园校区变更后权利人:235025 安徽省淮北市经济开发区滨河路88号华淮产业园
2018-11-30	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01G 11/46 变更事项:专利权人变更前:天津大学变更后:天津大学变更事项:地址变更前:300072 天津市南开区卫津路92号天津大学变更后:300350 天津市津南区海河教育园雅观路135号天津大学北洋园校区
2018-08-07	授权	授权

共 50 条

[1]

空心四氧化三钴微球材料的制备方法及制备电极片的应用 [P].

邓意达 ;

冯超 ;

胡文彬 ;

钟澄 .

中国专利 :CN104795253A ,2015-07-22

[2]

类石墨烯四氧化三钴纳米薄膜材料的制备方法及制备电极片的应用 [P].

邓意达 ;

冯超 ;

胡文彬 ;

钟澄 .

中国专利 :CN104916454A ,2015-09-16

[3]

类石墨烯氢氧化钴纳米薄膜的水热制备法 [P].

邓意达 ;

冯超 ;

胡文彬 ;

陈亚琼 ;

王浩然 ;

张金凤 ;

万磊 .

中国专利 :CN104064372B ,2014-09-24

[4]

一种四氧化三钴纳米颗粒的制备方法及其应用 [P].

曹学飞 ;

孙少超 ;

孙少妮 ;

孙润仓 .

中国专利 :CN111498913A ,2020-08-07

[5]

三维纳米四氧化三钴、制备方法及应用 [P].

庞欢 ;

李欣冉 ;

魏积蕾 ;

郑莎莎 ;

肖潇 .

中国专利 :CN106935869B ,2017-07-07

[6]

四氧化三钴多孔纳米片的制备方法 [P].

耿保友 ;

詹方明 .

中国专利 :CN101503219B ,2009-08-12

[7]

一种纳米级立方体四氧化三钴的制备方法 [P].

耿涛 ;

王红艳 ;

徐基贵 ;

张克营 ;

周侠 .

中国专利 :CN106348350A ,2017-01-25

[8]

一种四氧化三钴纳米颗粒的制备方法 [P].

刘和光 ;

武少卿 ;

田娜 ;

赵娜娜 .

中国专利 :CN112479265A ,2021-03-12

[9]

碳酸钴的制备方法以及四氧化三钴的制备方法 [P].

胡扬剑 ;

周卫 .

中国专利 :CN109319846A ,2019-02-12

[10]

一种制备纳米级立方体状四氧化三钴的方法 [P].

董晓臣 ;

黄维 ;

刘湘梅 ;

龙庆 .

中国专利 :CN103011306A ,2013-04-03

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