一种新型半导体低温恒温槽

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN201721555879.1
申请日
2017-11-20
公开(公告)号
CN207546553U
公开(公告)日
2018-06-29
发明(设计)人
韦毅
申请人
申请人地址
400000 重庆市南岸区经济技术开发区经开园C39号G栋
IPC主分类号
B01L700
IPC分类号
代理机构
成都睿道专利代理事务所(普通合伙) 51217
代理人
潘育敏
法律状态
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
国省代码
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共 50 条
[41]
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