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半导体器件及其形成方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202110086717.2
申请日
:
2021-01-22
公开(公告)号
:
CN113206112A
公开(公告)日
:
2021-08-03
发明(设计)人
:
布莱恩·帕特里克·麦加维
申请人
:
申请人地址
:
美国亚利桑那州
IPC主分类号
:
H01L27146
IPC分类号
:
H01L31107
代理机构
:
北京派特恩知识产权代理有限公司 11270
代理人
:
尚玲;陈万青
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-08-03
公开
公开
2022-12-09
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/146 申请日:20210122
共 50 条
[1]
半导体器件及其形成方法
[P].
林昆辉
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
林昆辉
;
郑允玮
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
郑允玮
;
周俊豪
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
周俊豪
;
李国政
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
李国政
;
王钲源
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
王钲源
.
中国专利
:CN113725240B
,2024-09-17
[2]
半导体器件及其形成方法
[P].
王文生
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
王文生
;
范翌轩
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
范翌轩
.
中国专利
:CN118448428A
,2024-08-06
[3]
半导体器件及其形成方法
[P].
高敏峰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
高敏峰
;
杨敦年
论文数:
0
引用数:
0
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0
杨敦年
;
刘人诚
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
刘人诚
;
林杏芝
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
林杏芝
.
中国专利
:CN114649301A
,2022-06-21
[4]
半导体器件及其形成方法
[P].
杨智铨
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
杨智铨
;
林士豪
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
林士豪
.
中国专利
:CN112582001B
,2024-05-24
[5]
半导体器件及其形成方法
[P].
祝荣华
论文数:
0
引用数:
0
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0
祝荣华
;
阿米塔瓦·鲍斯
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
阿米塔瓦·鲍斯
;
维什努·K·凯姆卡
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
维什努·K·凯姆卡
;
维贾·帕塔萨拉蒂
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
维贾·帕塔萨拉蒂
.
中国专利
:CN1947258A
,2007-04-11
[6]
半导体器件及其形成方法
[P].
林昆辉
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
林昆辉
;
郑允玮
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
郑允玮
;
周俊豪
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
周俊豪
;
李国政
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李国政
;
王钲源
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
王钲源
.
中国专利
:CN113725240A
,2021-11-30
[7]
半导体器件及其形成方法
[P].
杨智铨
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
杨智铨
;
林士豪
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
林士豪
.
中国专利
:CN112582001A
,2021-03-30
[8]
半导体器件结构及其形成方法
[P].
陈思哲
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海瞻芯电子科技股份有限公司
上海瞻芯电子科技股份有限公司
陈思哲
;
请求不公布姓名
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海瞻芯电子科技股份有限公司
上海瞻芯电子科技股份有限公司
请求不公布姓名
;
仲雪倩
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海瞻芯电子科技股份有限公司
上海瞻芯电子科技股份有限公司
仲雪倩
;
黄海涛
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海瞻芯电子科技股份有限公司
上海瞻芯电子科技股份有限公司
黄海涛
;
陈伟
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海瞻芯电子科技股份有限公司
上海瞻芯电子科技股份有限公司
陈伟
;
张永熙
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海瞻芯电子科技股份有限公司
上海瞻芯电子科技股份有限公司
张永熙
.
中国专利
:CN120957480A
,2025-11-14
[9]
功率半导体器件及其形成方法
[P].
李元华
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李元华
;
G·H·勒歇尔特
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
G·H·勒歇尔特
.
中国专利
:CN110610981A
,2019-12-24
[10]
功率半导体器件及其形成方法
[P].
李元华
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
半导体组件工业公司
半导体组件工业公司
李元华
;
G·H·勒歇尔特
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
半导体组件工业公司
半导体组件工业公司
G·H·勒歇尔特
.
美国专利
:CN110610981B
,2025-03-07
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