半导体器件及其形成方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202110086717.2
申请日
2021-01-22
公开(公告)号
CN113206112A
公开(公告)日
2021-08-03
发明(设计)人
布莱恩·帕特里克·麦加维
申请人
申请人地址
美国亚利桑那州
IPC主分类号
H01L27146
IPC分类号
H01L31107
代理机构
北京派特恩知识产权代理有限公司 11270
代理人
尚玲;陈万青
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
林昆辉 ;
郑允玮 ;
周俊豪 ;
李国政 ;
王钲源 .
中国专利 :CN113725240B ,2024-09-17
[2]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
王文生 ;
范翌轩 .
中国专利 :CN118448428A ,2024-08-06
[3]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
高敏峰 ;
杨敦年 ;
刘人诚 ;
林杏芝 .
中国专利 :CN114649301A ,2022-06-21
[4]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
杨智铨 ;
林士豪 .
中国专利 :CN112582001B ,2024-05-24
[5]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
祝荣华 ;
阿米塔瓦·鲍斯 ;
维什努·K·凯姆卡 ;
维贾·帕塔萨拉蒂 .
中国专利 :CN1947258A ,2007-04-11
[6]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
林昆辉 ;
郑允玮 ;
周俊豪 ;
李国政 ;
王钲源 .
中国专利 :CN113725240A ,2021-11-30
[7]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
杨智铨 ;
林士豪 .
中国专利 :CN112582001A ,2021-03-30
[8]
半导体器件结构及其形成方法 [P]. 
陈思哲 ;
请求不公布姓名 ;
仲雪倩 ;
黄海涛 ;
陈伟 ;
张永熙 .
中国专利 :CN120957480A ,2025-11-14
[9]
功率半导体器件及其形成方法 [P]. 
李元华 ;
G·H·勒歇尔特 .
中国专利 :CN110610981A ,2019-12-24
[10]
功率半导体器件及其形成方法 [P]. 
李元华 ;
G·H·勒歇尔特 .
美国专利 :CN110610981B ,2025-03-07