半导体器件及其形成方法

被引：0

申请号：

CN202210110689.8

申请日：

2022-01-29

公开(公告)号：

CN114649301A

公开(公告)日：

2022-06-21

发明(设计)人：

高敏峰杨敦年刘人诚林杏芝

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L23538

IPC分类号：

H01L2516 H01L29861 H01L4902

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-06-21	公开	公开
2022-07-08	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/538 申请日:20220129

共 50 条

[1]

半导体器件及其形成方法 [P].

黄旺骏 ;

蔡庆威 ;

程冠伦 ;

王志豪 .

中国专利 :CN113314520A ,2021-08-27

[2]

半导体器件及其形成方法 [P].

布莱恩·帕特里克·麦加维 .

中国专利 :CN113206112A ,2021-08-03

[3]

半导体器件及其形成方法 [P].

黄禹轩 ;

陈豪育 ;

蔡庆威 ;

程冠伦 ;

陈重辉 .

中国专利 :CN113299650B ,2024-11-29

[4]

半导体器件及其形成方法 [P].

黄旺骏 ;

蔡庆威 ;

程冠伦 ;

王志豪 .

中国专利 :CN113314520B ,2024-06-07

[5]

半导体器件及其形成方法 [P].

杨奇翰 .

中国专利 :CN113270428A ,2021-08-17

[6]

半导体器件及其形成方法 [P].

黄耀德 ;

郑咏世 .

中国专利 :CN113451200A ,2021-09-28

[7]

半导体器件及其形成方法 [P].

蔡俊雄 ;

沙哈吉·B·摩尔 ;

林佑明 ;

万幸仁 .

中国专利 :CN112310038B ,2024-12-24

[8]

半导体器件及其形成方法 [P].

王文生 ;

范翌轩 .

中国专利 :CN118448428A ,2024-08-06

[9]

半导体器件及其形成方法 [P].

马礼修 ;

林仲德 .

中国专利 :CN113284898B ,2024-09-10

[10]

半导体器件及其形成方法 [P].

刘凯 ;

R·C·弗里 .

中国专利 :CN102208903A ,2011-10-05

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