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半导体器件及其形成方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201110078262.6
申请日：
2011-03-30
公开(公告)号：
CN102208903A
公开(公告)日：
2011-10-05
发明(设计)人：
刘凯
R·C·弗里
申请人：
申请人地址：
新加坡新加坡市
IPC主分类号：
H03H742
IPC分类号：
代理机构：
中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人：
李娜;王忠忠
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2013-03-27 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101426525383 IPC(主分类):H03H 7/42 专利申请号:2011100782626 申请日:20110330 |
| 2020-01-24 | 专利权人的姓名或者名称、地址的变更 | 专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H03H 7/42 变更事项:专利权人 变更前:新科金朋有限公司 变更后:新科金朋私人有限公司 变更事项:地址 变更前:新加坡新加坡市 变更后:新加坡新加坡市 |
| 2020-01-24 | 专利申请权、专利权的转移 | 专利权的转移 IPC(主分类):H03H 7/42 登记生效日:20200106 变更事项:专利权人 变更前权利人:新科金朋私人有限公司 变更后权利人:长电集成电路（绍兴）有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:新加坡新加坡市 变更后权利人:浙江省绍兴市越城区临江路500号 |
| 2016-05-04 | 授权 | 授权 |
| 2011-10-05 | 公开 | 公开 |