半导体器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110315835.6

申请日：

2021-03-24

公开(公告)号：

CN113299650B

公开(公告)日：

2024-11-29

发明(设计)人：

黄禹轩陈豪育蔡庆威程冠伦陈重辉

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L27/092

IPC分类号：

H01L23/528 H01L23/48 H01L21/8238 H01L21/768 H01L29/06 B82Y10/00 B82Y40/00

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-29	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件及其形成方法 [P].

黄禹轩 ;

陈豪育 ;

蔡庆威 ;

程冠伦 ;

陈重辉 .

中国专利 :CN113299650A ,2021-08-24

[2]

半导体器件及其形成方法 [P].

张浩 ;

唐兆云 ;

华文宇 .

中国专利 :CN121038272A ,2025-11-28

[3]

集成半导体器件及其形成方法 [P].

史蒂文·H.·沃尔德曼 .

中国专利 :CN101179074B ,2008-05-14

[4]

半导体器件及其形成方法 [P].

庄其毅 ;

陈豪育 ;

程冠伦 .

中国专利 :CN113675194A ,2021-11-19

[5]

半导体器件及其形成方法 [P].

黄旺骏 ;

蔡庆威 ;

程冠伦 ;

王志豪 .

中国专利 :CN113314520A ,2021-08-27

[6]

半导体器件及其形成方法 [P].

钟政庭 ;

蔡庆威 ;

程冠伦 .

中国专利 :CN113113491A ,2021-07-13

[7]

半导体器件及其形成方法 [P].

汪红红 ;

洪纪伦 ;

吴宗祐 ;

林宗贤 .

中国专利 :CN110112065A ,2019-08-09

[8]

半导体器件及其形成方法 [P].

康伯坚 ;

周文昇 ;

彭永州 .

中国专利 :CN111627906A ,2020-09-04

[9]

半导体器件及其形成方法 [P].

游力蓁 ;

苏焕杰 ;

黄麟淯 ;

庄正吉 ;

王志豪 .

中国专利 :CN113517280B ,2024-06-25

[10]

半导体器件及其形成方法 [P].

王俊文 ;

洪齐元 ;

余兴 .

中国专利 :CN115312463A ,2022-11-08

← 1 2 3 4 5 →