半导体器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110158373.1

申请日：

2021-02-04

公开(公告)号：

CN113675194A

公开(公告)日：

2021-11-19

发明(设计)人：

庄其毅陈豪育程冠伦

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L27092

IPC分类号：

H01L218238

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-07	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/092 申请日:20210204
2021-11-19	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其形成方法 [P].

庄其毅 ;

陈豪育 ;

程冠伦 .

中国专利 :CN113675194B ,2024-08-27

[2]

半导体器件及其形成方法 [P].

钟政庭 ;

蔡庆威 ;

程冠伦 .

中国专利 :CN113113491A ,2021-07-13

[3]

半导体器件及其形成方法 [P].

汪红红 ;

洪纪伦 ;

吴宗祐 ;

林宗贤 .

中国专利 :CN110112065A ,2019-08-09

[4]

半导体器件及其形成方法 [P].

康伯坚 ;

周文昇 ;

彭永州 .

中国专利 :CN111627906A ,2020-09-04

[5]

半导体器件及其形成方法 [P].

黄禹轩 ;

陈豪育 ;

蔡庆威 ;

程冠伦 ;

陈重辉 .

中国专利 :CN113299650B ,2024-11-29

[6]

半导体器件及其形成方法 [P].

游力蓁 ;

苏焕杰 ;

黄麟淯 ;

庄正吉 ;

王志豪 .

中国专利 :CN113517280B ,2024-06-25

[7]

半导体器件及其形成方法 [P].

王俊文 ;

洪齐元 ;

余兴 .

中国专利 :CN115312463A ,2022-11-08

[8]

半导体器件及其形成方法 [P].

朱峯庆 ;

李威养 ;

杨丰诚 ;

陈燕铭 .

中国专利 :CN113451307A ,2021-09-28

[9]

半导体器件及其形成方法 [P].

黄咸志 ;

陈冠霖 ;

王培宇 ;

余家濠 ;

江国诚 ;

王志豪 .

中国专利 :CN119947178A ,2025-05-06

[10]

半导体器件及其形成方法 [P].

陈重辉 .

中国专利 :CN113345892B ,2025-12-05

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