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半导体器件及其形成方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202010651825.5
申请日：
2020-07-08
公开(公告)号：
CN113380791A
公开(公告)日：
2021-09-10
发明(设计)人：
李汝谅
刘铭棋
刘世昌
申请人：
申请人地址：
中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
IPC主分类号：
H01L2708
IPC分类号：
H01L2182
代理机构：
南京正联知识产权代理有限公司 32243
代理人：
王素琴
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2021-09-28 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/08 申请日:20200708 |
| 2021-09-10 | 公开 | 公开 |