一种温度梯度法生长氟化镁钡单晶的工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410539258.9

申请日：

2014-10-13

公开(公告)号：

CN105568379A

公开(公告)日：

2016-05-11

发明(设计)人：

武安华王卓徐军姜大朋苏良碧钱小波陈险峰

申请人：

申请人地址：

200050 上海市长宁区定西路1295号

IPC主分类号：

C30B2912

IPC分类号：

C30B1100

代理机构：

上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258

代理人：

何葆芳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-05-11	公开	公开
2016-06-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101663902721 IPC(主分类):C30B 29/12 专利申请号:2014105392589 申请日:20141013
2019-05-10	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C30B 29/12 申请公布日:20160511

共 50 条

[1]

一种氟化镁钡单晶的生长方法 [P].

武安华 ;

徐军 ;

苏良碧 ;

李红军 ;

钱国兴 ;

姜林文 ;

钱小波 ;

王静雅 .

中国专利 :CN102534774B ,2012-07-04

[2]

高真空温度梯度法生长晶体的方法 [P].

杭寅 ;

徐月泉 ;

司继良 ;

张连翰 .

中国专利 :CN101109103A ,2008-01-23

[3]

一种氟化镁单晶生长炉 [P].

候闽渤 .

中国专利 :CN210457500U ,2020-05-05

[4]

一种温度梯度法晶体生长用温度梯度可调节晶体炉 [P].

曹顿华 ;

陈伟 ;

董永军 ;

华伟 ;

潘国庆 .

中国专利 :CN215103676U ,2021-12-10

[5]

水平温度梯度法生长钛三铝碳二MAX相单晶材料 [P].

肖昱琨 ;

张卿瑜 ;

李勉 ;

黄庆 .

中国专利 :CN119776968A ,2025-04-08

[6]

用于单晶生长装置的结晶区温度梯度调节器 [P].

赵北君 ;

朱世富 ;

何知宇 ;

陈宝军 ;

唐世红 ;

王立苗 .

中国专利 :CN201212066Y ,2009-03-25

[7]

一种4.5英寸磷化铟单晶生长温度梯度控制方法 [P].

方满棠 ;

王忆 .

中国专利 :CN121110158A ,2025-12-12

[8]

大尺寸氟化镁单晶的定向生长装置及工艺 [P].

董永军 ;

华伟 ;

陈伟 ;

曹顿华 .

中国专利 :CN108866619A ,2018-11-23

[9]

水平温度梯度法生长大尺寸高温晶体的装置及方法 [P].

黄小卫 ;

柳祝平 .

中国专利 :CN103074668A ,2013-05-01

[10]

温度梯度法生长稀土倍半氧化物晶体的热场装置及生长稀土倍半氧化物晶体的温度梯度方法 [P].

徐军 ;

赵衡煜 ;

徐晓东 ;

李东振 ;

王东海 .

中国专利 :CN108893776A ,2018-11-27

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