一种氟化镁钡单晶的生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110434476.2

申请日：

2011-12-22

公开(公告)号：

CN102534774B

公开(公告)日：

2012-07-04

发明(设计)人：

武安华徐军苏良碧李红军钱国兴姜林文钱小波王静雅

申请人：

申请人地址：

200050 上海市长宁区定西路1295号

IPC主分类号：

C30B2912

IPC分类号：

C30B1100

代理机构：

上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258

代理人：

何葆芳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-09-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101322519439 IPC(主分类):C30B 29/12 专利申请号:2011104344762 申请日:20111222
2014-11-19	授权	授权
2012-07-04	公开	公开
2019-07-12	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):C30B 29/12 登记生效日:20190625 变更事项:专利权人变更前权利人:中国科学院上海硅酸盐研究所变更后权利人:中山昂腾光电科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:200050 上海市长宁区定西路1295号变更后权利人:528445 广东省中山市三角镇高平工业区金三大道东兴盈路1号兴盈苑B幢2卡

共 50 条

[1]

一种温度梯度法生长氟化镁钡单晶的工艺 [P].

武安华 ;

王卓 ;

徐军 ;

姜大朋 ;

苏良碧 ;

钱小波 ;

陈险峰 .

中国专利 :CN105568379A ,2016-05-11

[2]

一种深紫外氟化镁晶体生长方法 [P].

王冬 ;

胡卫东 .

中国专利 :CN102925963A ,2013-02-13

[3]

一种氟化镁单晶生长炉 [P].

候闽渤 .

中国专利 :CN210457500U ,2020-05-05

[4]

一种氟化物单晶的生长方法与装置 [P].

王国强 ;

李凌云 .

中国专利 :CN107177884A ,2017-09-19

[5]

多坩埚下降法制备氟化镁晶体的生长设备及其生长方法 [P].

李百中 ;

李铮 ;

施振华 ;

侯印春 .

中国专利 :CN106435730A ,2017-02-22

[6]

一种单晶再生长方法 [P].

胡昌勇 ;

李勇 .

中国专利 :CN113668044A ,2021-11-19

[7]

一种单晶再生长方法 [P].

胡昌勇 ;

李勇 .

中国专利 :CN113668044B ,2024-03-15

[8]

一种掺镨氟化钇锂晶体生长方法 [P].

王冬 ;

胡卫东 .

中国专利 :CN102925973A ,2013-02-13

[9]

压电单晶及其生长方法 [P].

刘锦峰 ;

许桂生 ;

杨丹凤 ;

刘莹 .

中国专利 :CN104164705A ,2014-11-26

[10]

一种紫外级单晶生长用高纯度氟化镁多晶的生产方法 [P].

杨松涛 ;

徐玉江 ;

郭云 ;

胡征 .

中国专利 :CN105776259A ,2016-07-20

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