一种氟化物单晶的生长方法与装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710442067.4

申请日：

2017-06-13

公开(公告)号：

CN107177884A

公开(公告)日：

2017-09-19

发明(设计)人：

王国强李凌云

申请人：

申请人地址：

350108 福建省福州市闽侯县上街镇大学城学园路2号福州大学新区

IPC主分类号：

C30B2912

IPC分类号：

C30B1102

代理机构：

福州元创专利商标代理有限公司 35100

代理人：

蔡学俊;林文弘

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-09-19	公开	公开
2017-10-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/12 申请日:20170613
2019-06-07	授权	授权

共 50 条

[1]

氟化物单晶体的热控布里奇曼法单晶生长装置与方法 [P].

姜大朋 ;

苏良碧 ;

钱小波 ;

唐飞 ;

徐军 ;

王静雅 ;

吴锋 .

中国专利 :CN106149051A ,2016-11-23

[2]

一种氟化镁钡单晶的生长方法 [P].

武安华 ;

徐军 ;

苏良碧 ;

李红军 ;

钱国兴 ;

姜林文 ;

钱小波 ;

王静雅 .

中国专利 :CN102534774B ,2012-07-04

[3]

大尺寸稀土掺杂氟化钇钡单晶生长方法 [P].

官周国 ;

姚超 ;

罗辉 ;

官周牛 ;

郭春艳 .

中国专利 :CN104562183A ,2015-04-29

[4]

近红外光上转换氟化物晶体的水热生长方法 [P].

陆启飞 ;

刘凌云 ;

王达健 ;

袁志好 ;

徐丽敏 ;

于文惠 .

中国专利 :CN101260561A ,2008-09-10

[5]

一种氟化物晶体生长的多坩埚真空下降炉装置及其生长方法 [P].

王庆国 ;

贾健 .

中国专利 :CN119980432A ,2025-05-13

[6]

一种单晶生长装置和单晶生长方法 [P].

蔡金荣 ;

陈建明 ;

赵文超 ;

杨洪雨 ;

范子龙 .

中国专利 :CN117779179A ,2024-03-29

[7]

一种单晶生长装置及单晶生长方法 [P].

李辉 ;

郑彧 ;

童亚琦 ;

王震 .

中国专利 :CN119411212A ,2025-02-11

[8]

一种单晶生长装置和单晶生长方法 [P].

蔡金荣 ;

陈建明 ;

赵文超 ;

杨洪雨 ;

范子龙 .

中国专利 :CN117779179B ,2024-06-07

[9]

单晶生长方法及单晶生长装置 [P].

阿部孝夫 ;

山田透 .

中国专利 :CN1265030C ,2003-03-26

[10]

一种定向生长氟化物晶体的坩埚 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN216274454U ,2022-04-12

← 1 2 3 4 5 →