大尺寸稀土掺杂氟化钇钡单晶生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410845260.9

申请日：

2014-12-31

公开(公告)号：

CN104562183A

公开(公告)日：

2015-04-29

发明(设计)人：

官周国姚超罗辉官周牛郭春艳

申请人：

申请人地址：

610041 四川省成都市武侯区人民南路4段7号

IPC主分类号：

C30B1500

IPC分类号：

C30B2912

代理机构：

成飞(集团)公司专利中心 51121

代理人：

郭纯武

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-05-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101611394273 IPC(主分类):C30B 15/00 专利申请号:2014108452609 申请日:20141231
2021-04-09	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C30B 15/00 申请日:20141231 授权公告日:20180119 终止日期:20191231
2015-04-29	公开	公开
2018-01-19	授权	授权

共 50 条

[1]

一种稀土掺杂氟化钇钡粉体的制备方法 [P].

冯桂青 ;

王帅华 ;

吴以恒 .

中国专利 :CN113621371A ,2021-11-09

[2]

掺钬氟化钆钇钡晶体及其生长方法 [P].

曾繁明 ;

李春 ;

张学建 ;

刘景和 ;

谷亮 ;

林海 ;

张山丽 ;

苗东伟 ;

刘敏时 .

中国专利 :CN102586870A ,2012-07-18

[3]

单晶生长方法 [P].

关岛雄德 ;

藤井高志 ;

胁野喜久男 ;

冈田正胜 .

中国专利 :CN1139678C ,1998-11-04

[4]

一种大尺寸直拉硅单晶生长方法 [P].

王文庆 .

中国专利 :CN106319621A ,2017-01-11

[5]

一种大尺寸高红外透过率CdS单晶生长方法 [P].

霍晓青 ;

司华青 ;

郭文斌 ;

张颖武 ;

程红娟 ;

徐永宽 ;

张志鹏 ;

于凯 ;

练小正 .

中国专利 :CN106319633B ,2018-11-30

[6]

一种大尺寸GaSb单晶的快速生长方法 [P].

李璐杰 ;

徐永宽 ;

程红娟 ;

张颖武 ;

练小正 ;

于凯 ;

霍晓青 .

中国专利 :CN108441961A ,2018-08-24

[7]

单晶生长方法 [P].

田口裕章 ;

热海贵 ;

降屋久 ;

喜田道夫 .

中国专利 :CN1134559C ,1997-10-01

[8]

一种氟化物单晶的生长方法与装置 [P].

王国强 ;

李凌云 .

中国专利 :CN107177884A ,2017-09-19

[9]

单晶生长方法 [P].

藤川阳平 .

中国专利 :CN110878427A ,2020-03-13

[10]

一种硒锗汞钡单晶的生长方法 [P].

李春霄 ;

姚吉勇 ;

刘强 ;

王桂丽 .

中国专利 :CN120193324A ,2025-06-24

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