近红外光上转换氟化物晶体的水热生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710060301.3

申请日：

2007-12-17

公开(公告)号：

CN101260561A

公开(公告)日：

2008-09-10

发明(设计)人：

陆启飞刘凌云王达健袁志好徐丽敏于文惠

申请人：

申请人地址：

300191天津市南开区红旗南路263号

IPC主分类号：

C30B2912

IPC分类号：

C30B710 C09K900 C09K1185

代理机构：

天津佳盟知识产权代理有限公司

代理人：

廖晓荣

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-10-29	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-07-21	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101003335980 IPC(主分类):C30B 29/12 专利申请号:2007100603013 公开日:20080910
2008-09-10	公开	公开

共 50 条

[1]

近红外光上转换氟化物纳米晶体的离子热生长方法 [P].

刘晓敏 ;

孔祥贵 ;

孙雅娟 ;

曾庆辉 ;

张友林 .

中国专利 :CN101476151A ,2009-07-08

[2]

氟化物晶体的制造方法 [P].

里永知彦 ;

菊山裕久 ;

福田承生 .

中国专利 :CN1823183A ,2006-08-23

[3]

预处理金属氟化物及氟化物晶体的制造方法 [P].

石津澄人 ;

关屋章 ;

福田健太郎 ;

须山敏尚 .

中国专利 :CN102026914A ,2011-04-20

[4]

一种氟化物单晶的生长方法与装置 [P].

王国强 ;

李凌云 .

中国专利 :CN107177884A ,2017-09-19

[5]

同时生长多根氟化物晶体材料的坩埚 [P].

郭宗海 ;

张可生 .

中国专利 :CN208667892U ,2019-03-29

[6]

一种定向生长氟化物晶体的坩埚 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN216274454U ,2022-04-12

[7]

一种定向生长氟化物晶体的坩埚 [P].

徐悟生 ;

朱逢锐 ;

彭明林 ;

周方 ;

张斌 ;

李琛 ;

杨春晖 .

中国专利 :CN214458445U ,2021-10-22

[8]

一种高纯度抗激光损伤氟化物晶体的密闭式生长方法 [P].

甄西合 ;

彭明林 ;

周方 ;

周松松 ;

韩世昌 ;

周超 .

中国专利 :CN121110184A ,2025-12-12

[9]

一种氟化物晶体生长的多坩埚真空下降炉装置及其生长方法 [P].

王庆国 ;

贾健 .

中国专利 :CN119980432A ,2025-05-13

[10]

下降法定向生长氟化物晶体的方法及装置 [P].

李毅 ;

臧春雨 ;

臧春和 ;

姜晓光 ;

覃检涛 ;

崔凤泰 ;

万玉春 .

中国专利 :CN105297130A ,2016-02-03

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