一种单晶生长装置和单晶生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410199685.0

申请日：

2024-02-23

公开(公告)号：

CN117779179B

公开(公告)日：

2024-06-07

发明(设计)人：

蔡金荣陈建明赵文超杨洪雨范子龙

申请人：

苏州优晶半导体科技股份有限公司

申请人地址：

215300 江苏省苏州市昆山市开发区杜鹃路555号A6#厂房

IPC主分类号：

C30B23/00

IPC分类号：

C30B29/36 C30B29/06

代理机构：

北京超凡宏宇知识产权代理有限公司 11463

代理人：

赵亚楠

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-03-29	公开	公开
2024-06-07	授权	授权
2024-04-16	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 23/00申请日:20240223

共 50 条

[1]

一种单晶生长装置和单晶生长方法 [P].

蔡金荣 ;

陈建明 ;

赵文超 ;

杨洪雨 ;

范子龙 .

中国专利 :CN117779179A ,2024-03-29

[2]

单晶生长方法、控制装置和单晶生长装置 [P].

赵言 ;

冯睿超 ;

金光勋 .

中国专利 :CN119392352A ,2025-02-07

[3]

单晶生长方法及单晶生长装置 [P].

阿部孝夫 ;

山田透 .

中国专利 :CN1265030C ,2003-03-26

[4]

单晶生长用坩埚和单晶生长方法 [P].

藤川阳平 .

中国专利 :CN110878422A ,2020-03-13

[5]

一种单晶生长装置及单晶生长方法 [P].

李辉 ;

郑彧 ;

童亚琦 ;

王震 .

中国专利 :CN119411212A ,2025-02-11

[6]

单晶生长方法及单晶生长设备 [P].

赵言 ;

张楠 ;

沈伟民 ;

黄瀚艺 .

中国专利 :CN112323141A ,2021-02-05

[7]

单晶生长设备及单晶生长方法 [P].

郭鸿震 .

中国专利 :CN114606564A ,2022-06-10

[8]

单晶生长方法 [P].

田口裕章 ;

热海贵 ;

降屋久 ;

喜田道夫 .

中国专利 :CN1134559C ,1997-10-01

[9]

单晶生长方法 [P].

关岛雄德 ;

藤井高志 ;

胁野喜久男 ;

冈田正胜 .

中国专利 :CN1139678C ,1998-11-04

[10]

单晶生长方法 [P].

藤川阳平 .

中国专利 :CN110878427A ,2020-03-13

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