单晶生长方法、控制装置和单晶生长装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411519832.4

申请日：

2024-10-28

公开(公告)号：

CN119392352A

公开(公告)日：

2025-02-07

发明(设计)人：

赵言冯睿超金光勋

申请人：

上海新昇半导体科技有限公司

申请人地址：

201306 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区临港新片区云水路1000号

IPC主分类号：

C30B15/00

IPC分类号：

C30B15/20 C30B29/06

代理机构：

北京磐华捷成知识产权代理有限公司 11851

代理人：

李丽敏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

上海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-25	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 15/00申请日:20241028
2025-02-07	公开	公开

共 50 条

[1]

单晶生长方法及单晶生长装置 [P].

阿部孝夫 ;

山田透 .

中国专利 :CN1265030C ,2003-03-26

[2]

一种单晶生长装置和单晶生长方法 [P].

蔡金荣 ;

陈建明 ;

赵文超 ;

杨洪雨 ;

范子龙 .

中国专利 :CN117779179A ,2024-03-29

[3]

一种单晶生长装置和单晶生长方法 [P].

蔡金荣 ;

陈建明 ;

赵文超 ;

杨洪雨 ;

范子龙 .

中国专利 :CN117779179B ,2024-06-07

[4]

单晶生长用坩埚和单晶生长方法 [P].

藤川阳平 .

中国专利 :CN110878422A ,2020-03-13

[5]

单晶生长方法及生长装置 [P].

冈本勉 ;

田附幸一 ;

久保田重夫 .

中国专利 :CN1227287A ,1999-09-01

[6]

氧化镓单晶生长方法及单晶生长装置 [P].

裵示永 ;

郑盛民 ;

辛胤沚 ;

具泰勋 ;

申阿兰 .

韩国专利 :CN119956489A ,2025-05-09

[7]

单晶生长方法及单晶生长设备 [P].

赵言 ;

张楠 ;

沈伟民 ;

黄瀚艺 .

中国专利 :CN112323141A ,2021-02-05

[8]

单晶生长设备及单晶生长方法 [P].

郭鸿震 .

中国专利 :CN114606564A ,2022-06-10

[9]

单晶生长方法 [P].

田口裕章 ;

热海贵 ;

降屋久 ;

喜田道夫 .

中国专利 :CN1134559C ,1997-10-01

[10]

单晶生长方法 [P].

关岛雄德 ;

藤井高志 ;

胁野喜久男 ;

冈田正胜 .

中国专利 :CN1139678C ,1998-11-04

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