压电单晶及其生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310182727.1

申请日：

2013-05-16

公开(公告)号：

CN104164705A

公开(公告)日：

2014-11-26

发明(设计)人：

刘锦峰许桂生杨丹凤刘莹

申请人：

申请人地址：

200050 上海市长宁区定西路1295号

IPC主分类号：

C30B2932

IPC分类号：

C30B1104 C30B1114

代理机构：

上海唯源专利代理有限公司 31229

代理人：

刘秋兰

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-11-26	公开	公开
2014-12-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101592948373 IPC(主分类):C30B 29/32 专利申请号:2013101827271 申请日:20130516
2018-02-09	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C30B 29/32 申请公布日:20141126

共 50 条

[1]

一类压电单晶体及其生长方法 [P].

安华 ;

徐家跃 ;

钱国兴 ;

陆宝亮 ;

侍敏莉 ;

张爱琼 ;

李新华 ;

林雅芳 .

中国专利 :CN100529199C ,2007-09-05

[2]

四元系弛豫型压电单晶材料及其生长方法 [P].

刘锦峰 ;

许桂生 ;

杨丹凤 ;

刘莹 .

中国专利 :CN104152997B ,2014-11-19

[3]

三元系弛豫型压电单晶材料及其生长方法 [P].

刘锦峰 ;

许桂生 ;

杨丹凤 ;

刘莹 .

中国专利 :CN104153000A ,2014-11-19

[4]

铌酸钾钠锂基无铅压电单晶及其生长方法 [P].

刘莹 ;

许桂生 ;

刘锦峰 ;

杨丹凤 .

中国专利 :CN104152999A ,2014-11-19

[5]

铌酸钾钠-锆酸铋钠无铅压电单晶及其生长方法 [P].

朱秀 ;

许桂生 ;

刘锦峰 ;

田彦锋 .

中国专利 :CN107268084A ,2017-10-20

[6]

氮化镓体单晶及其生长方法 [P].

司志伟 ;

刘宗亮 ;

徐科 .

中国专利 :CN114622274A ,2022-06-14

[7]

单晶生长方法及单晶生长装置 [P].

阿部孝夫 ;

山田透 .

中国专利 :CN1265030C ,2003-03-26

[8]

三元系弛豫基铁电压电单晶及其生长方法 [P].

许桂生 ;

刘锦峰 ;

杨丹凤 ;

刘莹 ;

陈夏夏 .

中国专利 :CN104372409B ,2015-02-25

[9]

钛酸铋钠钾系非铅铁电压电单晶及其生长方法 [P].

仪修杰 ;

陈焕矗 ;

韩建儒 ;

赵明磊 .

中国专利 :CN1304648C ,2005-11-09

[10]

单晶生长方法及生长装置 [P].

冈本勉 ;

田附幸一 ;

久保田重夫 .

中国专利 :CN1227287A ,1999-09-01

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