一类压电单晶体及其生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710036836.7

申请日：

2007-01-25

公开(公告)号：

CN100529199C

公开(公告)日：

2007-09-05

发明(设计)人：

安华徐家跃钱国兴陆宝亮侍敏莉张爱琼李新华林雅芳

申请人：

申请人地址：

200050上海市长宁区定西路1295号

IPC主分类号：

C30B2934

IPC分类号：

C30B1100

代理机构：

上海智信专利代理有限公司

代理人：

潘振甦

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-09-05	公开	公开
2007-10-31	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-08-19	授权	授权
2013-03-27	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101424940265 IPC(主分类):C30B 29/34 专利号:ZL2007100368367 申请日:20070125 授权公告日:20090819 终止日期:20120125

共 50 条

[1]

压电单晶及其生长方法 [P].

刘锦峰 ;

许桂生 ;

杨丹凤 ;

刘莹 .

中国专利 :CN104164705A ,2014-11-26

[2]

锗酸铋单晶体的生长方法 [P].

刘运连 ;

朱刘 ;

狄聚青 ;

胡智向 ;

文崇斌 .

中国专利 :CN106757353A ,2017-05-31

[3]

钛酸铋钠钾系非铅铁电压电单晶及其生长方法 [P].

仪修杰 ;

陈焕矗 ;

韩建儒 ;

赵明磊 .

中国专利 :CN1304648C ,2005-11-09

[4]

铌酸钾钠锂基无铅压电单晶及其生长方法 [P].

刘莹 ;

许桂生 ;

刘锦峰 ;

杨丹凤 .

中国专利 :CN104152999A ,2014-11-19

[5]

四元系弛豫型压电单晶材料及其生长方法 [P].

刘锦峰 ;

许桂生 ;

杨丹凤 ;

刘莹 .

中国专利 :CN104152997B ,2014-11-19

[6]

单晶生长炉和晶体生长方法 [P].

陈俊宏 .

中国专利 :CN115386948A ,2022-11-25

[7]

单晶生长炉和晶体生长方法 [P].

陈俊宏 .

中国专利 :CN115386948B ,2024-04-19

[8]

一种碲锌镉单晶体的生长方法及装置 [P].

庞昊 ;

谢雨凌 .

中国专利 :CN113174626B ,2024-07-23

[9]

一种碲锌镉单晶体的生长方法及装置 [P].

庞昊 ;

谢雨凌 .

中国专利 :CN113174626A ,2021-07-27

[10]

单面生长石英晶体及其生长方法 [P].

刘盛浦 ;

郭兴忠 ;

吴兰 .

中国专利 :CN109112629A ,2019-01-01

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