氮化镓体单晶及其生长方法

被引:0
申请号
CN202011458817.5
申请日
2020-12-11
公开(公告)号
CN114622274A
公开(公告)日
2022-06-14
发明(设计)人
司志伟 刘宗亮 徐科
申请人
申请人地址
215123 江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号
IPC主分类号
C30B1902
IPC分类号
C30B2940
代理机构
南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256
代理人
王锋
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
高质量氮化镓体单晶及其生长方法和制备系统 [P]. 
司志伟 ;
刘宗亮 ;
徐科 .
中国专利 :CN114657640A ,2022-06-24
[2]
氮化镓单晶的生长方法和氮化镓单晶 [P]. 
岩井真 ;
今井克宏 ;
今枝美能留 .
中国专利 :CN1938457B ,2007-03-28
[3]
氮化镓单晶生长方法 [P]. 
孟静 .
中国专利 :CN108796611A ,2018-11-13
[4]
氮化镓单晶的生长方法,氮化镓单晶基板及其制造方法 [P]. 
元木健作 ;
冈久拓司 ;
松本直树 .
中国专利 :CN1908251B ,2007-02-07
[5]
氮化镓单晶的生长方法,氮化镓单晶基板及其制造方法 [P]. 
元木健作 ;
冈久拓司 ;
松本直树 .
中国专利 :CN1870223A ,2006-11-29
[6]
单晶氮化镓基板及其生长方法与制造方法 [P]. 
元木健作 ;
冈久拓司 ;
中畑成二 ;
弘田龙 ;
上松康二 .
中国专利 :CN1405903A ,2003-03-26
[7]
单晶氮化镓基板及其生长方法与制造方法 [P]. 
元木健作 ;
冈久拓司 ;
中畑成二 ;
弘田龙 ;
上松康二 .
中国专利 :CN101063225A ,2007-10-31
[8]
单晶氮化镓基板及其生长方法与制造方法 [P]. 
元木健作 ;
冈久拓司 ;
中畑成二 ;
弘田龙 ;
上松康二 .
中国专利 :CN1790759A ,2006-06-21
[9]
自分离氮化镓单晶及其助熔剂法生长方法 [P]. 
刘宗亮 ;
徐科 ;
任国强 ;
王建峰 .
中国专利 :CN111434811B ,2020-07-21
[10]
非极性/半极性氮化镓单晶及其助熔剂法生长方法 [P]. 
刘宗亮 ;
徐科 ;
任国强 ;
王建峰 .
中国专利 :CN111434809B ,2020-07-21