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氮化镓体单晶及其生长方法
被引:0
申请号
:
CN202011458817.5
申请日
:
2020-12-11
公开(公告)号
:
CN114622274A
公开(公告)日
:
2022-06-14
发明(设计)人
:
司志伟
刘宗亮
徐科
申请人
:
申请人地址
:
215123 江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号
IPC主分类号
:
C30B1902
IPC分类号
:
C30B2940
代理机构
:
南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256
代理人
:
王锋
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-06-14
公开
公开
2022-07-01
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 19/02 申请日:20201211
共 50 条
[1]
高质量氮化镓体单晶及其生长方法和制备系统
[P].
司志伟
论文数:
0
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0
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0
司志伟
;
刘宗亮
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刘宗亮
;
徐科
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徐科
.
中国专利
:CN114657640A
,2022-06-24
[2]
氮化镓单晶的生长方法和氮化镓单晶
[P].
岩井真
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岩井真
;
今井克宏
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今井克宏
;
今枝美能留
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今枝美能留
.
中国专利
:CN1938457B
,2007-03-28
[3]
氮化镓单晶生长方法
[P].
孟静
论文数:
0
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孟静
.
中国专利
:CN108796611A
,2018-11-13
[4]
氮化镓单晶的生长方法,氮化镓单晶基板及其制造方法
[P].
元木健作
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元木健作
;
冈久拓司
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冈久拓司
;
松本直树
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松本直树
.
中国专利
:CN1908251B
,2007-02-07
[5]
氮化镓单晶的生长方法,氮化镓单晶基板及其制造方法
[P].
元木健作
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元木健作
;
冈久拓司
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冈久拓司
;
松本直树
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松本直树
.
中国专利
:CN1870223A
,2006-11-29
[6]
单晶氮化镓基板及其生长方法与制造方法
[P].
元木健作
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元木健作
;
冈久拓司
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冈久拓司
;
中畑成二
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中畑成二
;
弘田龙
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弘田龙
;
上松康二
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上松康二
.
中国专利
:CN1405903A
,2003-03-26
[7]
单晶氮化镓基板及其生长方法与制造方法
[P].
元木健作
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元木健作
;
冈久拓司
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冈久拓司
;
中畑成二
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中畑成二
;
弘田龙
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弘田龙
;
上松康二
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上松康二
.
中国专利
:CN101063225A
,2007-10-31
[8]
单晶氮化镓基板及其生长方法与制造方法
[P].
元木健作
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元木健作
;
冈久拓司
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冈久拓司
;
中畑成二
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中畑成二
;
弘田龙
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弘田龙
;
上松康二
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上松康二
.
中国专利
:CN1790759A
,2006-06-21
[9]
自分离氮化镓单晶及其助熔剂法生长方法
[P].
刘宗亮
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刘宗亮
;
徐科
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徐科
;
任国强
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任国强
;
王建峰
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0
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0
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0
王建峰
.
中国专利
:CN111434811B
,2020-07-21
[10]
非极性/半极性氮化镓单晶及其助熔剂法生长方法
[P].
刘宗亮
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刘宗亮
;
徐科
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徐科
;
任国强
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任国强
;
王建峰
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王建峰
.
中国专利
:CN111434809B
,2020-07-21
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