单晶氮化镓基板及其生长方法与制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610105562.8

申请日：

2002-09-19

公开(公告)号：

CN101063225A

公开(公告)日：

2007-10-31

发明(设计)人：

元木健作冈久拓司中畑成二弘田龙上松康二

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

C30B2502

IPC分类号：

C30B2938 C30B2940

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

汪惠民

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-10-31	公开	公开
2007-12-26	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-12-07	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101227506271 IPC(主分类):C30B 25/02 专利申请号:2006101055628 公开日:20071031

共 50 条

[1]

单晶氮化镓基板及其生长方法与制造方法 [P].

元木健作 ;

冈久拓司 ;

中畑成二 ;

弘田龙 ;

上松康二 .

中国专利 :CN1405903A ,2003-03-26

[2]

单晶氮化镓基板及其生长方法与制造方法 [P].

元木健作 ;

冈久拓司 ;

中畑成二 ;

弘田龙 ;

上松康二 .

中国专利 :CN1790759A ,2006-06-21

[3]

氮化镓单晶的生长方法,氮化镓单晶基板及其制造方法 [P].

元木健作 ;

冈久拓司 ;

松本直树 .

中国专利 :CN1908251B ,2007-02-07

[4]

氮化镓单晶的生长方法,氮化镓单晶基板及其制造方法 [P].

元木健作 ;

冈久拓司 ;

松本直树 .

中国专利 :CN1870223A ,2006-11-29

[5]

氮化镓体单晶及其生长方法 [P].

司志伟 ;

刘宗亮 ;

徐科 .

中国专利 :CN114622274A ,2022-06-14

[6]

氮化镓单晶生长方法 [P].

孟静 .

中国专利 :CN108796611A ,2018-11-13

[7]

单晶氮化镓基板，单晶氮化镓长晶方法及单晶氮化镓基板制造方法 [P].

元木健作 ;

弘田龙 ;

冈久拓司 ;

中畑成二 .

中国专利 :CN1411035A ,2003-04-16

[8]

氮化镓单晶的生长方法和氮化镓单晶 [P].

岩井真 ;

今井克宏 ;

今枝美能留 .

中国专利 :CN1938457B ,2007-03-28

[9]

单晶氮化镓基板及其制造方法 [P].

朴起延 ;

金华睦 ;

徐大雄 ;

孙暎丸 .

中国专利 :CN103855264A ,2014-06-11

[10]

氮化镓单晶基板及其制造方法 [P].

平松和政 ;

三宅秀人 ;

坊山晋也 ;

前田尚良 ;

小野善伸 .

中国专利 :CN1759469A ,2006-04-12

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