单晶氮化镓基板，单晶氮化镓长晶方法及单晶氮化镓基板制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02145712.3

申请日：

2002-10-09

公开(公告)号：

CN1411035A

公开(公告)日：

2003-04-16

发明(设计)人：

元木健作弘田龙冈久拓司中畑成二

申请人：

申请人地址：

日本大阪市

IPC主分类号：

H01L2100

IPC分类号：

H01L3300 H01S500

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

汪惠民

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2003-04-16	公开	公开
2003-07-02	实质审查的生效	实质审查的生效
2021-09-17	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/00 申请日:20021009 授权公告日:20081119 终止日期:20201009
2008-11-19	授权	授权

共 50 条

[1]

单晶氮化镓基板及单晶氮化镓长晶方法 [P].

元木健作 ;

弘田龙 ;

冈久拓司 ;

中畑成二 .

中国专利 :CN101393851A ,2009-03-25

[2]

氮化镓单晶基板以及氮化镓单晶基板的制造方法 [P].

佐藤隆 ;

藤本哲尔 ;

北村寿朗 ;

柴田真佐知 .

日本专利 :CN120505707A ,2025-08-19

[3]

氮化镓单晶基板以及氮化镓单晶基板的制造方法 [P].

藤本哲尔 ;

佐藤隆 ;

铃木贵征 ;

北村寿朗 ;

柴田真佐知 .

日本专利 :CN120505705A ,2025-08-19

[4]

氮化镓单晶基板以及氮化镓单晶基板的制造方法 [P].

佐藤隆 ;

藤本哲尔 ;

北村寿朗 ;

柴田真佐知 .

日本专利 :CN120505706A ,2025-08-19

[5]

氮化镓单晶基板 [P].

佐藤隆 ;

藤本哲尔 ;

北村寿朗 ;

柴田真佐知 .

日本专利 :CN118932488A ,2024-11-12

[6]

氮化镓单晶的生长方法,氮化镓单晶基板及其制造方法 [P].

元木健作 ;

冈久拓司 ;

松本直树 .

中国专利 :CN1908251B ,2007-02-07

[7]

氮化镓单晶的生长方法,氮化镓单晶基板及其制造方法 [P].

元木健作 ;

冈久拓司 ;

松本直树 .

中国专利 :CN1870223A ,2006-11-29

[8]

单晶氮化镓基板及其制造方法 [P].

朴起延 ;

金华睦 ;

徐大雄 ;

孙暎丸 .

中国专利 :CN103855264A ,2014-06-11

[9]

氮化镓单晶基板及其制造方法 [P].

平松和政 ;

三宅秀人 ;

坊山晋也 ;

前田尚良 ;

小野善伸 .

中国专利 :CN1759469A ,2006-04-12

[10]

单晶氮化镓基体的制造方法和单晶氮化镓基体 [P].

元木健作 ;

笠井仁 ;

冈久拓司 .

中国专利 :CN1176502C ,2002-01-23

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