单晶氮化镓基体的制造方法和单晶氮化镓基体

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN01122442.8

申请日：

2001-07-09

公开(公告)号：

CN1176502C

公开(公告)日：

2002-01-23

发明(设计)人：

元木健作笠井仁冈久拓司

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L2120 C30B2940

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

范明娥

法律状态：

实质审查请求的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2001-11-14	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2002-01-23	公开	公开
2016-08-24	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101676537211 IPC(主分类):H01L 33/00 专利号:ZL011224428 申请日:20010709 授权公告日:20041117 终止日期:20150709
2004-11-17	授权	授权

共 50 条

[1]

单晶氮化镓基板，单晶氮化镓长晶方法及单晶氮化镓基板制造方法 [P].

元木健作 ;

弘田龙 ;

冈久拓司 ;

中畑成二 .

中国专利 :CN1411035A ,2003-04-16

[2]

氮化镓单晶的生长方法和氮化镓单晶 [P].

岩井真 ;

今井克宏 ;

今枝美能留 .

中国专利 :CN1938457B ,2007-03-28

[3]

氮化镓单晶基板以及氮化镓单晶基板的制造方法 [P].

佐藤隆 ;

藤本哲尔 ;

北村寿朗 ;

柴田真佐知 .

日本专利 :CN120505707A ,2025-08-19

[4]

氮化镓单晶基板以及氮化镓单晶基板的制造方法 [P].

藤本哲尔 ;

佐藤隆 ;

铃木贵征 ;

北村寿朗 ;

柴田真佐知 .

日本专利 :CN120505705A ,2025-08-19

[5]

氮化镓单晶基板以及氮化镓单晶基板的制造方法 [P].

佐藤隆 ;

藤本哲尔 ;

北村寿朗 ;

柴田真佐知 .

日本专利 :CN120505706A ,2025-08-19

[6]

氮化镓衬底、氮化镓单晶层及其制造方法 [P].

张林 ;

魏曙亮 .

中国专利 :CN114892264A ,2022-08-12

[7]

氮化镓衬底、氮化镓单晶层及其制造方法 [P].

张林 ;

魏曙亮 .

中国专利 :CN114892264B ,2024-03-05

[8]

氮化镓单晶的生长方法,氮化镓单晶基板及其制造方法 [P].

元木健作 ;

冈久拓司 ;

松本直树 .

中国专利 :CN1908251B ,2007-02-07

[9]

氮化镓单晶的生长方法,氮化镓单晶基板及其制造方法 [P].

元木健作 ;

冈久拓司 ;

松本直树 .

中国专利 :CN1870223A ,2006-11-29

[10]

氮化镓衬底、氮化镓单晶层及其制造方法 [P].

张林 ;

魏曙亮 .

中国专利 :CN115233309B ,2024-01-12

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