氮化镓单晶的生长方法和氮化镓单晶

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200580010050.7

申请日：

2005-03-30

公开(公告)号：

CN1938457B

公开(公告)日：

2007-03-28

发明(设计)人：

岩井真今井克宏今枝美能留

申请人：

申请人地址：

日本爱知县

IPC主分类号：

C30B2938

IPC分类号：

C30B910

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

吴娟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-03-28	公开	公开
2011-11-30	授权	授权
2007-06-06	实质审查的生效	实质审查的生效
2022-03-11	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C30B 29/38 申请日:20050330 授权公告日:20111130 终止日期:20210330

共 50 条

[1]

氮化镓单晶生长方法 [P].

孟静 .

中国专利 :CN108796611A ,2018-11-13

[2]

氮化镓单晶的生长方法,氮化镓单晶基板及其制造方法 [P].

元木健作 ;

冈久拓司 ;

松本直树 .

中国专利 :CN1908251B ,2007-02-07

[3]

氮化镓单晶的生长方法,氮化镓单晶基板及其制造方法 [P].

元木健作 ;

冈久拓司 ;

松本直树 .

中国专利 :CN1870223A ,2006-11-29

[4]

氮化镓单晶生长装置 [P].

孟静 .

中国专利 :CN108707961A ,2018-10-26

[5]

氮化镓体单晶及其生长方法 [P].

司志伟 ;

刘宗亮 ;

徐科 .

中国专利 :CN114622274A ,2022-06-14

[6]

单晶氮化镓基体的制造方法和单晶氮化镓基体 [P].

元木健作 ;

笠井仁 ;

冈久拓司 .

中国专利 :CN1176502C ,2002-01-23

[7]

单晶氮化镓基板，单晶氮化镓长晶方法及单晶氮化镓基板制造方法 [P].

元木健作 ;

弘田龙 ;

冈久拓司 ;

中畑成二 .

中国专利 :CN1411035A ,2003-04-16

[8]

一种氮化镓单晶的热液生长方法 [P].

陈小龙 ;

许燕萍 ;

兰玉成 ;

曹永革 ;

许涛 ;

蒋培植 ;

陆坤权 ;

梁敬魁 ;

俞育德 .

中国专利 :CN1113988C ,2001-04-04

[9]

单晶氮化镓基板及单晶氮化镓长晶方法 [P].

元木健作 ;

弘田龙 ;

冈久拓司 ;

中畑成二 .

中国专利 :CN101393851A ,2009-03-25

[10]

氮化镓单晶基板以及氮化镓单晶基板的制造方法 [P].

佐藤隆 ;

藤本哲尔 ;

北村寿朗 ;

柴田真佐知 .

日本专利 :CN120505707A ,2025-08-19

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